BC-MOS (Buried Channel Metal Oxide Semiconductor) – typ tranzystora MOS. Jest to tranzystor polowy z kanałem zagrzebanym, gdzie pod warstwą izolatora (bramką) znajduje się zaimplantowany kanał. Kanał tranzystora BC-MOS może znajdować się w jednym ze stanów: w zakresie NIENASYCENIA: zubożenie przy powierzchni akumulacja przy powierzchni częściowe zubożenie/częściowa akumulacja przy powierzchni w zakresie NASYCENIA: zubożenie przy powierzchni częściowe zubożenie/częściowa akumulacja przy powierzchni.
Kategoria:Tranzystory