Osadzanie warstw atomowych (ang. Atomic Layer Deposition, ALD) – metoda chemiczna służąca do uzyskiwania cienkich warstw o grubościach atomowych. ALD jest zmodyfikowaną wersją techniki CVD, w której oba wprowadzane prekursory nie mają ze sobą kontaktu w fazie gazowej, a jedynie na osadzanej powierzchni.
Opis zjawiska Układ eksperymentalny wykorzystywany w technice ALD jest podobny do tego używanego w CVD. Technikę ALD charakteryzuje sekwencyjność wprowadzanych prekursorów w fazie gazowej — kontakt między nimi jest ograniczony do powierzchni podłoża, na którym osadza się warstwa poprzez zastosowanie odpowiednio długiego czasu płukania gazem obojętnym. Zapewnia to wysoką jednorodność oraz czystość chemiczną cienkiego filmu, krytyczną dla zastosowań w przemyśle półprzewodnikowym. W ALD proces wzrostu warstwy jest samoograniczający, co związane jest z występowaniem ograniczonej liczby tzw. miejsc aktywnych (głównie grup wodorotlenowych) na powierzchni podłoża, które mogą chemicznie zaadsorbować molekułę. Krok płukania komory gazem obojętnym usuwa nadmiarowe cząsteczki zaadsorbowane fizycznie. Puls kolejnego prekursora tworzy pierwszą warstwę oczekiwanego związku, a kolejne powtórzenia procesu (tzw. cykle) powodują wzrost grubości konformalnej warstwy.