Stanisława Krukowskiego należy:
obserwacja fal kapilarnych na powierzchni 2-D kryształu Kossela - symulacja Monte Carlo sformułowanie kryterium przejścia fraktal-kryształ dla przypadku wzrostu 2-D oraz weryfikacja Monte Carlo sformułowanie kryterium dla tworzenia gałęzi bocznych dendrytów w przypadku wzrostu 2-D mikroskopowy model rozpuszczania azotu molekularnego w ciekłych metalach mikroskopowy model adsorpcji tlenu na powierzchni W(110) mikroskopowy model rozpuszczania tlenu w ciekłych metalach grupy III: (Al, Ga & In) sformułowanie mikroskopowego modelu entropii sublimacji ciał stałych równanie stanu azotu w ciśnieniach do 30 GPa –symulacje metoda dynamiki molekularnej wyznaczenie własności azotu w ciśnieniach do 30 GPa (równanie stanu, lepkość) za pomocą metody dynamiki molekularnej sformułowanie metody rozwiązywania równania Poissona dla slabu przez zastosowanie poprawki Laplace’a odkrycie efektu Starka dla stanów powierzchniowych wyznaczenie własności studni kwantowych GaN/AlN i InN/GaN, (pól elektrycznych, warstwy dipolowej ) za pomocą metod ab initio odkrycie zależności energii adsorpcji od położenia poziomu Fermiego na powierzchniach półprzewodników spowodowanej transferem ładunku pomiędzy stanami powierzchniowymi a wnętrzem półprzewodnika wyznaczenie spontanicznej polaryzacji azotków przez modelowanie