Katodoluminescencja jest szczególnie użyteczna w badaniu defektów strukturalnych półprzewodników, takich jak dyslokacje. Lokalnemu występowaniu dyslokacji mogą towarzyszyć zmiany intensywności luminescencji, energii emisji i jej szerokości spektralnej, związane m.in. z rekombinacją nieradiacyjną, lokalnymi naprężeniami oraz segregacją domieszek. Hiperspektralne mapowanie CL umożliwia analizę tych efektów przestrzennie, a także powiązanie lokalnych właściwości materiału z działaniem urządzeń półprzewodnikowych.
Rozwinięciem tej techniki jest katodoluminescencja czasowo-rozdzielcza (TRCL, time-resolved cathodoluminescence), w której oprócz widma i położenia emisji rejestrowana jest również jej dynamika czasowa. TRCL umożliwia badanie lokalnych procesów rekombinacji i relaksacji nośników oraz porównanie właściwości różnych obszarów materiału. W przypadku GaN wykazano możliwość wykorzystania analizy TRCL do określania udziału różnych mechanizmów rekombinacji, w tym rekombinacji Shockleya–Reada–Halla, radiacyjnej i Augera.
Zobacz też kineskop oscyloskop elektroluminescencja
Przypisy
Kategoria:Elektronika Kategoria:Luminescencja