Niska temperatura tego procesu przydatna jest przy osadzaniu związków odpornych na ścieranie i korozję na podłożach stalowych.
Epitaksja z fazy gazowej Epitaksja z fazy gazowej (VPE, z ) zajmuje szczególne miejsce wśród procesów chemicznego osadzania z fazy gazowej ze względu na wymaganą doskonałość strukturalną warstwy. Polega ona, jak inne metody wzrostu epitaksjalnego, na osadzaniu zorientowanej warstwy krystalicznej na podłożu monokrystalicznym. Technika ta znalazła zastosowanie w elektronice, głównie do osadzania materiałów półprzewodnikowych.
Chemiczne osadzanie z fazy gazowej aktywowane laserowo (LCVD, z , rzadziej LACVD, z ) stosowane jest głównie w dziedzinie mikroelektroniki. Pobudzenia składników gazowych dokonuje się za pomocą wiązki laserowej padającej na reaktor. Energia promieniowania jest pochłaniana przez całą objętość reaktywnych gazów znajdujących się nad podłożem. Wzbudzone cząsteczki mieszaniny gazowej podczas przechodzenia do stanu o wyższej energii ulegają jonizacji, czego efektem jest powstawanie składników o wysokiej aktywności. Reakcje chemiczne w tak wzbudzonym gazie przebiegają w znacznie niższej temperaturze.
Zobacz też fizyczne osadzanie z fazy gazowej
Przypisy
Bibliografia
Skrypt Obróbka cieplna pod red. Anny Rutkowskiej[nieweryfikowalne źródło]
Kategoria:Inżynieria powierzchni Kategoria:Produkcja półprzewodników