W 2026 roku naukowcy z Duńskiego Uniwersytetu Technicznego, University of Cambridge i Uniwersytetu Oksfordzkiego stworzyli wspólnie memrystor bazujący na tlenku hafnu (HfO2), który wykazuje ultraniskie prądy przełączania, wyjątkową jednorodność cykl do cyklu, setki poziomów ultraniskiego przewodnictwa z zakresem modulacji >50 (bez osiągania nasycenia). Ich memrystor wykorzystany jako sztuczna synapsa spełnia również wszystkie reguły uczenia nienadzorowanego.
Przykłady i producenci
ReRAM firmy HP (pierwszy memrystor) MRAM firmy TDK FeRAM i ReRAM firmy RAMXEED (dawniej część Fujitsu) ReRAM firmy TetraMem Memrystor firmy Knowm
Przypisy Kalka z języka angielskiego (memristance), nie ma jeszcze polskiego odpowiednika.
Linki zewnętrzne
„Memrystor” – epokowy wynalazek HP zmieni pamięci RAM?
YAN Kun (2011). Nonlinstor-An electronic circuit element based on the form of the nonlinear differential equation (Brief annotation of the connection equation(R)), Xi’an: Xi’an Modern Nonlinear Science Applying Institute. „Getting more from Moore’s Law”
Kategoria:Elementy elektroniczne