Wkrótce po demonstracji Nakamury (firma Nichia) wiele firm i uniwersytetów japońskich i amerykańskich włączyło się do rywalizacji o stworzenie wydajnego i trwałego lasera półprzewodnikowego na azotku galu. Były to między innymi: 1996 Toshiba14. K. Itaya, M. Onomura, J. Nishio, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nuonue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun, Y. Ohba, G. Hatakoshi, M. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L1315 (1996). 1997 Fujitsu15. A. Kutamata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota, T. Tanahashi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1130 (1997). 1997 XEROX16. M. Kneissl, D.P. Bour, N.M. Johnson, L.T. Romano, B.S. Krusor, R. Donaldson, J. Walker, C. Dunrowicz, App. Phys. Lett. 72, 1539 (1998). 1997 Cree razem z North Carolina State University17. J.T. Brown, J.T. Swindell, M.A.L. Johnson, Y. Zhongai, J.F. Schetzina, G.E. Bulman, K. Doverspike, S.T. Sheppard, T.W. Weeks, M. Leonard, H.S. Kong, H. Dieringer, C. Carter, J.A. Edmond, Nitride-Semiconductors-Symposium. 1998: 1179-84, Mater. Res. Soc, Warrendale, PA, USA, Ed. F.A. Ponce; S.P. DenBaars; B.K. Meyer; S. Nakamura;