Obecnie struktura laserowa narastana jest z reguły na powierzchni c kryształu azotku galu (związek ten krystalizuje w heksagonalnej strukturze wurcytu). Ze względu na to, że wzrost warstw lasera następuje wzdłuż polarnej osi c kryształu, struktury takie posiadają bardzo wysokie, wbudowane pola piezoelektryczne i piroelektryczne wpływające na własności optyczne przyrządów. Obecnie w wielu grupach prowadzi się prace nad wytwarzaniem struktur laserowych na niepolarnych lub tak zwanych semipolarnych powierzchniach kryształów GaN.
Od strony processingowej niebieskie diody laserowe wytwarzane są zwykle jako lasery wąskopaskowe (szerokość paska od 1,5-2 um), z trawioną mesą i izolacją tlenkową.
Lasery azotkowe montowane są w hermetycznych obudowach o rozmiarach 5,6 mm.
Parametry niebieskich diod laserowych
Lasery wytwarzane na azotku galu emitują światło w zakresie od bliskiego ultrafioletu do niebiesko-zielonego (370-500 nm), w zależności od składu chemicznego warstwy aktywnej. Gęstości prądu progowego w tych laserach są rzędu 2-5 kA/cm². Napięcia progowe wynoszą od 3,8 V do 5,5 V w zależności od konstrukcji lasera.