Krzepnięcie cieczy o składzie eutektycznym może również polegać na ciągłym heterogenicznym zarodkowaniu i wzroście obu faz. Jedna faza (np. ) zarodkuje, powodując wzbogacenie cieczy w składnik B i sprzyjając zarodkowaniu fazy w sąsiedztwie. Faza zarodkuje zupełnie niezależnie, nie wykazując uprzywilejowanej orientacji krystalograficznej w stosunku do istniejącej w innym miejscu fazy .
Krzepnięcie eutektyk globularnych i iglastych Krystalizacja eutektyk może być zapoczątkowana stałym heterogenicznym zarodkowaniem jednej z faz w cieczy przed frontem krystalizacji. Osnowa krystalizuje niezależnie z cieczy, w której istnieją już wydzielenia drugiej fazy. Mają one w stosunku do osnowy przypadkową orientację krystalograficzną. Eutektykę globularną uzyskuje się w wyniku wzrostu izotropowego, a eutektykę iglastą w wyniku anizotropowego wzrostu wydzieleń.
Prędkość wzrostu eutektyk płytkowych Problematyka Problematyka wzrostu eutektyk płytkowych wymaga rozwiązania dwu zagadnień: wpływ energii powierzchni międzyfazowej na temperaturę eutektyczną rola strumieni dyfuzyjnych towarzyszących równoczesnemu wzrostowi faz.