Opisuje to poniższa relacja:
gdzie: – prędkość wzrostu fazy [m/s], – współczynnik dyfuzji z cieczy do płytki fazy [m²/s], – maksymalna różnica stężeń w fazie ciekłej przed frontem rosnących płytek [%], – stała proporcjonalności, – krytyczna odległość międzypłytkowa [m], – ilość składnika B wypchniętego do cieczy [%].
Krytyczna odległość międzypłytkowa dana jest wzorem:
Czynniki wpływające na prędkość wzrostu płytek Jeżeli prędkość wzrostu nagle zwiększy się, odległości międzypłytkowe będą zbyt duże w porównaniu ze średnimi drogami dyfuzji domieszki. Nadmiar substancji gromadzi się przed frontem krystalizacji szerszej płytki lub obiema, obniżając temperaturę procesu.
Prędkość wzrostu płytek silnie zależy od wielkości przechłodzenia :
Przykłady nadprzewodniki materiały odporne na pełzanie skomplikowane odlewane elementy maszyn i konstrukcji stopy odlewnicze na bazie aluminium, krzemu oraz żeliwa stopy do lutowania miękkiego na bazie cyny, ołowiu, srebra i złota stopy do lutowania twardego, gdy z powodu destrukcyjnego wpływu dyfuzji niemożliwe jest uzyskanie innego typu połączenia stopy dla systemów przeciwpożarowych (np. stop Wooda, stop Fielda) nietoksyczne zamienniki rtęci (np.