jako:
Ponieważ występuje pomijalna rekombinacja, druga pochodna jest zero. Otrzymujemy więc liniową zależność między nadmierną koncentracją dziur i
Następujące równania są warunkami granicznymi
gdzie: – szerokość bazy.
Podstawiając do powyższego równania liniowego:
Różniczkujemy wartość :
Używamy równań na i do wyprowadzenia równania na prąd emitera:
Podobnie otrzymujemy równanie na prąd kolektora:
Wyrażenie na prąd bazy można otrzymać z wcześniejszych wyników:
Zobacz też MOSFET tranzystor bipolarny złącze p-n
Przypisy
Kategoria:Półprzewodniki