La memoria d'accesu aleatoriu (Random Access Memory, RAM) utilízase como memoria de trabayu d'ordenadores y otros dispositivos pal sistema operativu, los programes y la mayor parte del software. Na RAM cárguense toles instrucciones qu'executa la unidá central de procesamientu (procesador) y otres unidaes del ordenador, amás de contener los datos que manipolien los distintos programes.

Denominar d'accesu aleatoriu» porque puede lleese o escribir nuna posición de memoria con un tiempu d'espera igual pa cualquier posición, nun siendo necesariu siguir un orde p'aportar (accesu secuencial) a la información de la manera más rápida posible.

Mientres l'encendíu del ordenador, la rutina POST verifica que los módulos de RAM tean coneutaos de manera correuta. Nel casu que nun esistan o nun se detecten los módulos, la mayoría de tarxetes madres emiten una serie de soníos qu'indiquen l'ausencia de memoria principal. Termináu esi procesu, la memoria BIOS puede realizar un test básicu sobre la memoria RAM indicando fallos mayores na mesma.

Historia thumb|290px|Integráu de siliciu de 64 bits sobre un sector de memoria de nucleu magnéticu (finales de los 60). thumb|left|290px|4MiB de memoria RAM pa un ordenador VAX de finales de los 70. Los integraos de memoria DRAM tán arrexuntaos enriba a derecha y esquierda. thumb|left|290px|Módulos de memoria tipo SIPP instalaos direutamente sobre la placa base.

Unu de los primeros tipos de memoria RAM foi la memoria de nucleu magnéticu, desenvuelta ente 1949 y 1952 y usada en munchos ordenadores hasta'l desenvolvimientu de circuitos integraos a finales de los años 60 y principios de los 70. Esa memoria riquía que cada bit tuviera almacenáu nun toroide de material ferromagnético de dellos milímetros de diámetru, lo que resultaba en dispositivos con una capacidá de memoria bien pequeña. Primero que eso, los ordenadores usaben relés y llinies de retardo de dellos tipos construyíes pa implementar les funciones de memoria principal con o ensin accesu aleatoriu.

En 1969 fueron llanzaes una de les primeres memories RAM basaes en semiconductores de siliciu per parte d'Intel col integráu 3101 de 64 bits de memoria y pal siguiente añu presentóse una memoria DRAM de 1024 bytes, referencia 1103 que se constituyó nun finxu, yá que foi la primera en ser comercializada con ésitu, lo que significó'l principiu del fin pa les memories de nucleu magnéticu. En comparanza colos integraos de memoria DRAM actuales, la 1103 ye primitiva en dellos aspeutos, pero tenía un desempeñu mayor que la memoria de nucleos.

En 1973 presentóse una innovación que dexó otra miniaturización y convirtióse n'estándar pa les memories DRAM: la multiplexación en tiempu de la direiciones de memoria. MOSTEK llanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes nun barafuste de 16 pines, mientres los sos competidores fabricar nel barafuste DIP de 22 pines. L'esquema de direccionamientu convertir nun estándar de facto por cuenta de la gran popularidá que llogró esta referencia de DRAM. Pa finales de los 70 los integraos yeren usaos na mayoría d'ordenadores nuevos, soldábense direutamente a les plaques base o s'instalaben en zócalos, de manera qu'ocupaben un área estensa de circuitu impresu. Col tiempu fíxose obviu que la instalación de RAM sobre l'impresu principal, torgaba la miniaturización , entós escurriéronse los primeros módulos de memoria como'l SIPP, aprovechando les ventayes de la construcción modular. El formatu SIMM foi una meyora al anterior, esaniciando los pines metálicos y dexando unes árees de cobre nún de los cantos del impresu, bien similares a los de les tarxetes d'espansión, de fechu los módulos SIPP y los primeres SIMM tienen la mesma distribución de pines.

A finales de los 80 l'aumentu na velocidá de los procesadores y l'aumentu nel anchu de banda riquíu, dexaron arrezagaes a les memories DRAM col esquema orixinal MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de meyores nel direccionamientu como les siguientes:

thumb|200px|Módulo formato SIMM de 30 y 72 pines, los postreros fueron utilizaos con integraos tipu EDO-RAM.

FPM RAM Fast Page Mode RAM (FPM-RAM) foi inspiráu en téuniques como'l Burst Mode usáu en procesadores como'l Intel 486. Enllantóse una manera direccionamientu nel que'l controlador de memoria unvia una sola direición y recibe a cambéu esa y delles consecutives ensin necesidá de xenerar toles direiciones. Esto supón un aforru de tiempos una y bones ciertes operaciones son repetitives cuando se desea aportar a munches posiciones consecutives. Funciona como si deseyáramos visitar toles cases nuna cai: dempués de la primer vegada nun sería necesariu dicir el númberu de la cai namái siguir la mesma. Fabricar con tiempos d'accesu de 70 ó 60 ns y fueron bien populares en sistemes basaos nel 486 y los primeres Pentium.

EDO RAM Extended Data Output RAM (EDO-RAM) foi llanzada al mercáu en 1994 y con tiempos d'accesos de 40 o 30 ns suponía una ameyora sobre FPM, la so antecesora. La EDO, tamién ye capaz d'unviar direiciones allegantes pero direcciona la columna que va utilizar ente que se llee la información de la columna anterior, dando como resultáu una eliminación d'estaos d'espera, calteniendo activu'l búfer de salida hasta qu'empieza'l próximu ciclu de llectura.

BEDO RAM Burst Extended Data Output RAM (BEDO-RAM) foi la evolución de la EDO-RAM y competidora de la SDRAM, foi presentada en 1997. Yera un tipu de memoria qu'usaba xeneradores internos de direiciones y aportaba a más d'una posición de memoria en cada ciclu de reló, de manera que llograba un 50 % de beneficios, meyor que la EDO. Nunca salió al mercáu, yá que Intel y otros fabricantes decidir por esquemes de memoria sincrónicos que magar teníen enforma del direccionamientu MOSTEK, amiesten funcionalidades distintes como señales de reló.

Tipos de RAM

Les dos formes principales de RAM moderna son: SRAM (Static Random Access Memory), RAM estática, memoria estática d'accesu aleatoriu. volátiles. non volátiles: NVRAM (non-volatile random access memory), memoria d'accesu aleatoriu non volátil MRAM (magnetoresistive random-access memory), memoria d'accesu aleatoriu magnetorresistiva o magnética # DRAM (Dynamic Random Access Memory), RAM dinámica, memoria dinámica d'accesu aleatoriu. DRAM Asincrónica (Asynchronous Dynamic Random Access Memory, memoria d'accesu aleatoriu dinámica asincrónica) FPM RAM (Fast Page Mode RAM) EDO RAM (Extended Data Output RAM) SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory, memoria d'accesu aleatoriu dinámica sincrónica) Rambus: RDRAM (Rambus Dynamic Random Access Memory) XDR DRAM (estreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) XDR2 DRAM (estreme Data Rate two Dynamic Random Access Memory) SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory, SDRAM de tasa de datos simple) DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory, SDRAM de tasa de datos doble) DDR2 SDRAM (Double Data Rate type two SDRAM, SDRAM de tasa de datos doble de tipo dos) DDR3 SDRAM (Double Data Rate type three SDRAM, SDRAM de tasa de datos doble de tipu trés) DDR4 SDRAM (Double Data Rate type four SDRAM, SDRAM de tasa de datos doble de tipu cuatro)

Nomenclatura

La espresión memoria RAM utilízase frecuentemente pa describir a los módulos de memoria utilizaos nes ordenadores personales y servidores.

La RAM ye solo una variedá de la memoria d'accesu aleatoriu: les ROM, memories Flash, caxé (SRAM), los rexistros en procesadores y otres unidaes de procesamientu tamién tienen la cualidá de presentar retardos d'accesu iguales pa cualquier posición.

Los módulos de RAM son la presentación comercial d'esti tipu de memoria, que se compón de circuitos integraos soldaos sobre un circuitu impresu independiente, n'otros dispositivos como les consoles de videoxuegos, la RAM va soldada direutamente sobre la placa principal.

Módulos de RAM thumb|200px|right|Formatu SO-DIMM.

Los módulos de RAM son tarxetes o plaques de circuitu impresu que tienen soldaos chips de memoria DRAM, por una o dambes cares.

La implementación DRAM basar nuna topoloxía de circuitu llétricu que dexa algamar densidaes altes de memoria por cantidá de transistores, llogrando integraos de cientos o miles de megabits. Amás de DRAM, los módulos tienen un integráu que dexen la identificación de los mesmos ante l'ordenador per mediu del protocolu de comunicación Serial Presence Detect (SPD).

La conexón colos demás componentes realizar por mediu d'un área de pines nún de los filos del circuitu impresu, que dexen que'l módulu al ser instaláu nun zócalo o ranura apropiada de la placa base, tenga bon contautu llétricu con el controladores de memoria y les fontes d'alimentación.

La necesidá de faer intercambiable los módulos, y d'utilizar integraos de distintos fabricantes, condució al establecimientu d'estándares de la industria como los Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC).

Paquete DIP (Dual In-line Package, paquete de pines en llinia doble). Paquete SIPP (Single In-line Pin Package, paquete de pines en llinia simple): fueron los primeros módulos comerciales de memoria, de formatu propietariu, esto ye, nun había un estándar ente distintes marques. Módulos RIMM (Rambus In-line Memory Module, módulu de memoria en-llinia rambus): Fueron otros módulos propietarios bastante conocíos, escurríos pola empresa RAMBUS. Módulos SIMM (Single In-line Memory Module, módulu de memoria en llinia simple): formatu usáu n'ordenadores antiguos. Teníen un bus de datos de 16 ó 32 bits. Módulos DIMM (Dual In-line Memory Module, módulu de memoria en llinia dual): usáu n'ordenadores d'escritoriu. Carauterizar por tener un bus de datos de 64 bits. Módulos SO-DIMM (Small Outline DIMM): usáu n'ordenadores portátiles. Formatu miniaturizado de DIMM. Módulos FB-DIMM (Fully-Buffered Dual Inline Memory Module): usáu en servidores.

Teunoloxíes de memoria

La teunoloxía de memoria actual usa una señal de sincronización pa realizar les funciones de llectura/escritura de manera que siempres ta sincronizada con un reló del bus de memoria, a diferencia de les antigües memories FPM y EDO que yeren asíncronas.

Tola industria decantar poles teunoloxíes síncronas, porque dexen construyir integraos que funcionen a una frecuencia cimera a 66 MHz.

Tipos de DIMM según la so cantidá de contactos o pines: Cantidá de pines Tipos de DIMM Usaos por: Observaciones 072 SO-DIMM FPM-DRAM y EDO-DRAM (non el mesmu qu'un 72-pin SIMM) 100 DIMM printer SDRAM 144 SO-DIMM SDR SDRAM 168 DIMM SDR SDRAM (menos frecuente pa FPM/EDO DRAM n'árees de trabayu y/o servidores) 172 Micro-DIMM DDR SDRAM 184 DIMM DDR SDRAM 200 SO-DIMM DDR SDRAM y DDR2 SDRAM 204 SO-DIMM DDR3 SDRAM 240 DIMM DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM y Fully Buffered DIMM (FB-DIMM) DRAM 244 Mini-DIMM DDR2 SDRAM

thumb|300px|Memories RAM con teunoloxíes usaes na actualidá.

SDR SDRAM

Memoria síncrona, con tiempos d'accesu d'ente 25 y 10 ns y que se presenten en módulos DIMM de 168 contactos. Foi utilizada nos Pentium II y nos Pentium III , según nos AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Ta bien estendida la creencia de que se llama SDRAM a seques, y que la denominación SDR SDRAM ye pa estremala de la memoria DDR, pero nun ye asina, a cencielles estendióse bien rápido la denominación incorreuta. El nome correutu ye SDR SDRAM yá que ambes (tantu la SDR como la DDR) son memories síncronas dinámiques. Los tipos disponibles son: PC66: SDR SDRAM, funciona a un máx de 66,6 MHz. PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx de 100 MHz. PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx de 133,3 MHz.

RDRAM

Presentar en módulos RIMM de 184 contactos. Foi utilizada nos Pentium 4 . Yera la memoria más rápida nel so tiempu, pero pol so eleváu costu foi rápido camudada pola económica DDR. Los tipos disponibles son: PC600: RIMM RDRAM, funciona a un máximu de 300 MHz. PC700: RIMM RDRAM, funciona a un máximu de 350 MHz. PC800: RIMM RDRAM, funciona a un máximu de 400 MHz.