Исаму Акасаки (, роден на 30 януари 1929 г.) е японски учен, специализирал в областта на полупроводниковата технология. Той е лауреат на Нобелова награда за физика през 2014 г. за изобретяването на синия p-N светодиод с галиев нитрит (GaN) през 1989 г., а след това и на високояркостните сини LED светлини.Japanese Journal of Applied Physics .Japanese Journal of Applied Physics . jsap.jpHiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki: P-Type Conduction in Mg-doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI), Jpn. I. Akasaki, H. Amano, M. Kito and K. Hiramatsu: Photoluminescence of Mg doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED. J. Cryst. Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Kenji Itoh, Norikatsu Koide and Katsuhide Manabe: GaN-based UV/blue light emitting devices, Inst.
За тези и други постижения на Исаму Акасаки е удостоен и с наградата Киото за напреднали технологии през 2009 г.INAMORI FOUNDATION . и с IEEE Едисоновия медал през 2011 годинаIEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal Recipients (PDF)., а Нобеловата награда получава заедно с Хироши Амано и Шуджи Накамура,
Кариера
Роден в Кагошима, Акасаки завършва университета в Киото през 1952 и получава научна степен доктор на инженерните науки в областта на електрониката от Нагойския университет през 1964 година. Той започва да работи с GaN-базирани сини светодиоди в края на 1960-те години и стъпка по стъпка подобрява качеството и приложението на кристала галиев нитритY. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode. в научноизследователски институт Мацушита в Токио. Там прави първото си нововъведение, използвайки металоорганична парнофазова епитаксия (MOVPE).
През 1981 Акасаки въвежда методите си в Нагойския университет, а през 1985 година, заедно с научноизследователската си група, постига успех в създаването на висококачествени GaN кристали на сапфирова основа с пионерската буферна технология с ниски температури.H. Amano, N. Sawaki I. Akasaki and Y. Toyoda: Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layerIsamu Akasaki, Hiroshi Amano, Yasuo Koide, Kazumasa Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki: Effects of AlN buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAl xN (0<x < = 0,4) films grown on sapphire substrate by MOVPE, J. Crystal Growth, Vol.98 (1989), pp.209-219
Този висококачествен GaN кристал им позволява да открият неговия p-тип след усилване с магнезий и последващо активиране с помощта на електронно облъчване (1989). Така е създаден първият GaN p-n преходен син/UV светодиод (1989), а освен това са постигнати контролируема проводимост на n-типа GaN (1990)H. Amano and I. Akasaki: „Fabrication and Properties of GaN p-n Junction LED“, Mater. и подобните сплави (1991)Hiroshi Murakami, Tsunemori Asahi, Hiroshi Amano, Kazumasa Hiramatsu, Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki: „Growth of Si-doped AlxGa 1-xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy“, J. Crystal Growth, Vol.115 (1991), pp. 648 – 651. чрез усилване със силиций (Si). Това позволява използването хетероструктури и мулти-квантови ями в проектирането и конструирането на по-ефективни р-N преходни светодиоди.
Акасаки и сътрудниците му получават стимулирано излъчване при стайна температура през 1990 г.,H. Amano, T. Asahi and I. Akasaki: „Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer“ Jpn. и разработват през 1995 г. стимулирано излъчване при 388 nm с импулс от висококачествени транзисторни устройства.Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Shigetoshi Sota, Hiromitsu Sakai, Toshiyuki Tanaka and Masayoshi Koike: „Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device“ Jpn. Те проверяват квантовия ефект (1991)K. Itoh, T. Kawamoto, H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki: „Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures“ Jpn. и Stark-ефекта (1997)T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki: „Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells“ Jpn. в нитритна среда и през 2000 г. показват теоретично ориентационната зависимост между пиезоелектричното поле и съществуването на неполярни или полуполярни кристали галиев нитритTetsuya Takeuchi, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki: „Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells“, Jpn. . Тези постижения лежат в основата на създаването на по-ефективни източници на светлина.
Институт Акасаки в Нагойския университет
Патентите на професор Акасаки са произведени от тези изобретения и бързо намират широко пазарно приложение. Нагойският Университет основава Институт за Акасакиwww.nagoya-u.ac.jp Архивирано на 17 октомври 2012. на 20 октомври 2006. Стойността на строителството на шестетажния институт е покрита с патентни права. Освен като научен сектор, институтът разполага с галерия на LED светлината, показваща историята на изследванията, разработките и приложенията ѝ, а също така съдържа офис за междуинститутско сътрудничество в областта на научните изследвания.
Научна кариера
1952 – 1959 научен сътрудник в корпорация Кобе Когьо (днес Fujitsu Ltd.). 1959 – 1964 научен сътрудник, асистент и доцент по електроника в университета в Нагоя. 1964 – 1974 Ръководител на фундаменталните изследвания на лаборатория 4 на научноизследователски институт Мацмацушита в Токио. 1974 – 1981 главен изпълнителен директор на отдела за полупроводници (в същия институт) 1981 – 1992 професор по електроника в университета в Нагоя. 1987 – 1990 Ръководител на проект „Изследване и разработване на GaN-сини светодиоди“, спонсориран от Японската агенция за наука и технологии. 1992 – Почетен професор на Нагойския университет, професор в университета Мейджо. 1993 – 1999 Ръководител на проект „Изследване и разработване на GaN-базирани полупроводникови лазерни диоди с ниска дължина на вълната“. 1995 – 1996 Гост-професор в изследователски център за квантовата електроника в университета в Хокайдо. 1996 – 2001 Ръководител на проекта за насърчаване на науката в японското общество 1996 – 2004 Ръководител на проекта „Високотехнологичен научноизследователски център за нитритни полупроводници“ в университета Мейджо. 2001 – научен сътрудник в научноизследователския център Акасаки към Нагойския университет. Периода 2003 – 2006 г., председател на научноизследователска и развойна дейност в стратегическия комитет за безжични устройства, базирани на нитридни полупроводници. 2004 – директор на Център за изследвания нитритни полупроводници в университета Мейджо.
Награди и бонуси Научни и академични
Национални 1997 Медал с пурпурна лента от японското правителствоTypes of Medals. cao.go.jp. 2002 Орден на Изгряващото Слънце, златни лъчи с панделка на шията от японското правителствоOrders of the Rising Sun. 2004 Човек с културни заслуги от японското правителство 2011 Орден на културата на японския император
Източници
Допълнителна литература Insights & Enterprise in PHOTONICS SPECTRA, 54, November 2004 Materials Research Society Symposium Proceedings, Volume 639 (2000), pages xxiii－xxv
Външни препратки Сайт на Нобеловия комитет Сложни полупроводници (стр. 17 – 19) Nature.com Nature.com
Категория:Японски физици Категория:Носители на Нобелова награда за физика Категория:Възпитаници на Университета на Монпелие Категория:Нагойци