miniatura|Fig.1 Estructura FeRAM La memòria FeRAM (FRAM o RAM ferro-elèctrica) és una memòria RAM similar en construcció a la memòria DRAM però utilitza una capa de material ferro-elèctric en comptes d'una capa de material dielèctric per aconseguir ser no volàtil (mantenir l'estat sense alimentació). La FeRAM és una de les opcions a memòria RAM no volàtil a l'hora de substituir la memòria flaix.
Propietats de FeRAM Avantatges respecte la memòria flaix: Menor consum d'energia. Cicles d'escriptura més ràpids. Major nombre de cicles d'escriptura (al voltant de 10¹⁰ a 10¹⁴ cicles). Major retenció de dades (més de 10 anys a +85 °C). Desavantatges respecte la memòria flaix: Menor densitat de quantitat memòria per unitat de superfície. Major cost.
Comparativa de memòries Segons : ParàmetreFRAMSRAME2PROMFlaixNo volàtilSíNoSíSíCicles d'escriptura10¹⁰sense límit~500 00010 000Velocitat d'escriptura per 13 KB10ms<10ms2s1sConsum energia en µA/MHz80<60fins a 10 mA260Adreçable byte a byteSíSíNoSí
Fabricants de memòria FeRAM Segons : Texas Instruments Lapis semiconductor Cypress Hynix
Vegeu també nano-RAM : RAM amb nanotubs de carboni. SRAM : RAM estàtica. Flaix : memòria flaix. E2PROM : memòria esborrable elèctricament. ReRAM : memòria RAM resistiva. DRAM: memòria dinàmica MRAM: memòria RAM magnetoresistiva
Referències
Categoria:Memòria informàtica