miniatura|Fig.1 Capacitats paràsites Dielèctric low-k (en anglès baixa k) fa referència a un material de constant dielèctrica o també permitivitat relativa (εr) de molt baix valor. Els materials dielèctrics amb baixa k s'empren en la fabricació de semiconductors on usualment remplacen el diòxid de silici (K=3,7-3,9) . Els materials dielèctrics low-k és una de les tecnologies que permeten de continuar la miniaturització dels components electrònics segons la llei de Moore.
Necessitat En circuits digitals, per a separar els transistors s'empren materials dielèctrics (per defecte molt aïllants) que impliquen una capacitat paràsita entre els components. Degut a la gran miniaturització, els transistors estan cada cop més units, la qual cosa fa augmentar la capacitat paràsita. Aquestes capasitats paràsites produeixen problemes d'interferències anomenades diafonia (crosstalk). Llavors, per a solventar el problema cal utilitzar materials amb baixa k :
si k baixa llavors la capacitat també baixarà.
Materials low-k Derivats d'òxid: Diòxid de silici dopat amb flúor, Diòxid de silici dopat amb carboni, Diòxid de silici dopat amb hidrogen Derivats orgànics: Poliimides, Polímers, Tefló MaterialConstant DielèctricaDiòxid de silici dopat amb flúor3,3-3,9Diòxid de silici dopat amb carboni2,8-3,5Diòxid de silici dopat amb hidrogen2,5-3,3Poliimides3-4Polímers2,6-3,2Tefló1,9-2,1
Vegeu també Tecnologia Dielèctric high-k Tecnologia de Silici sobre aïllant (SOI) CMOS Permitivitat dels materials, Permitivitat relativa, Permitivitat del buit
Referències
Categoria:Circuits integrats Categoria:Tecnologia