miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 130 nm : IBM Gekko TecnologiaAny10 um19716 um19743 um19771,5 um19821 um1985800 nm1989600 nm1994350 nm1995250 nm1997180 nm1999130 nm200190 nm200465 nm200645 nm200832 nm201022 nm201214 nm201410 nm20177 nm20185 nm2020 130 nanòmetres (130 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 130 nm. És una millora de la tecnologia de 180 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 240 àtoms de llargada.
Tecnologia emprada Tecnologia de litografia millorada.
Processadors FabricantDataCPUNotesMotorola2002PowerPC 7447, 7457IBM2002GekkoIntel2002Pentium III, 4, M, Celeron, Xeon AMD2002Athlon XP, MP, Duron, K7 K8 Sempron,64, Opteron
FabricantIntelTSMCSamsungFujitsuIBM / Infineon / UMCMotorolaAMDNECNECTITINom del procésP860CS-91CMOS 9SHiPerMOS 7Primera producció2001200120012002200120012002200120012001TipusBulkPDSOIBulkCapes de Metal6885767 Value180 nm ΔValue180 nm ΔValue180 nm ΔValue180 nm ΔValue180 nm ΔValue180 nm ΔValue180 nm ΔValue180 nm ΔValue180 nm ΔValue180 nm ΔValue180 nm ΔPas de contacte de porta319 nm0.66x310 nm ?x350 nm ?x ? nm ?x350 nm ?x350 nm ?x350 nm ?x ?nm ?x ?nm ?x ?nm ?x ?nm ?xPas de connexió345 nm0.69x340 nm ?x350 nm ?x ? nm ?x320 nm ?x350 nm ?x350 nm ?x ?nm ?x ?nm ?x ?nm ?x ?nm ?xCel·lula 1 bit de RAM2.45 µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?xCel·lula 1 bit de DRAM2.09 µm²0.36x2.14 µm²0.46x ? µm² ?x1.98 µm²0.47x1.8 µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x
Vegeu també Circuit integrat Tecnologia litogràfica
Referències
Categoria:Tecnologia de fabricació de circuits integrats