Arsenid gallitý (také arsenid gallia), chemický vzorec GaAs, je sloučenina gallia a arsenu. Je to významný polovodič typu III-V, používaný při výrobě integrovaných obvodů pracujících v oboru mikrovln, infračervených a polovodičových laserů a fotovoltaických článků.
Příprava a chemické vlastnosti Arsenid gallitý lze připravit syntézou z prvků, čehož se v průmyslu často využívá.S. J. Moss, A. Ledwith (1987) The Chemistry of the Semiconductor Industry, Springer, pěstování krystalu v horizontální peci (Bridgman–Stockbargerova metoda), kdy páry gallia a arsenu reagují a deponují se na povrchu zárodečného krystalu v chladnější části pece LEC metoda (Czochralski)
Teoreticky je možné připravit arsenid gallitý také reakcí arsanu a gallia:
2 AsH3 + 2 Ga → 2 GaAs + 3 H2
Alternativní metody výroby GaAs jsou:Lesley Smart, Elaine A. Moore, (2005), Solid State Chemistry: An Introduction ,CRC, reakce plynného gallia a chloridu arsenitého: 2 Ga + 2 AsCl3 → 2 GaAs + 3 Cl2 MOCVD reakce trimethylgallia a arsanu: Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3 CH4
Oxidace GaAs probíhá již na vzduchu, tím dochází ke zhoršení vlastností polovodiče. Povrch lze pasivovat depozicí kubického sulfidu gallnatého pomocí organosulfidů gallia.Chemical vapor deposition from single organometallic precursors, A. R. Barron, M. B. Power, A. N. MacInnes, A. F.Hepp, P. P. Jenkins, US Patent 5300320 (1994)
Odkazy
Reference
Literatura N. N. Greenwood – A. Earnshaw, Chemie prvků 1. díl, 1. vydání 1993
Externí odkazy
Vlastnosti komerčně dodávaného GaAs
Kategorie:Gallité sloučeniny gallitý Kategorie:Polovodičové materiály