náhled|Hysterezní křivky; proudové impulzy pro čtení; napěťové odezvy pro čtení "1" a pro čtení "0" Tenkovrstvová paměť () je konstrukční variantou feritové paměti ().Ivan Kamínek, Jiří Hrdlička, Rychlá tenkovrstvová paměť Dostupné online. Tyto paměti jsou založeny na tzv. magneticky tvrdých materiálech, které mají schopnost podržet si po zmagnetování orientaci zbytkové, tzv. remanentní magnetizace až do přemagnetování do opačného směru. Hysterezní křivka magneticky tvrdých materiálů musí být spíše "pravoúhlá"- viz obrázek.
Feritové paměti počítačů se používaly přibližně v letech 1955 až 1975. Feritová paměť sestává z matic feritových jader ve tvaru toroidů. Tenkovrstvová paměť používá místo matic feritových toroidů matici plošek (např. slitina Fe-Ni o tloušťce několik mikrometrů) nanesených na skleněné destičky. Příslušné čtecí a záznamové vodiče jsou doplněny technologií "tištěných" plošných spojů přes tyto tenkovrstvé Fe-Ni plošky.
Tenkovrstvové paměti byly použity (přibližně 1962) např. v počítači UNIVAC 1107, v IBM System/360, ale rovněž v počítači Tesla 200.Počítač TESLA 200 Dostupné online. Tenkovrstvové paměti měly malou dobu přístupu (až 670 ns), avšak nákladnou technologii a byly vytlačeny rozvojem polovodičových pamětí.
Odkazy
Reference
Související články Feritová paměť Hystereze IBM System/360 Polovodičová paměť Toroid UNIVAC II
Kategorie:Počítačová paměť