La Z-RAM () est un type de mémoire DRAM développé par Innovative SiliconRéservé aux abonnés, sur le site digitimes.com.
Selon ses promoteurs, une mémoire Z-RAM serait aussi rapide qu'une mémoire SRAM tout en étant plus compacte étant donné qu'elle n'utiliserait qu'un transistor (sans condensateur) pour stocker un bit d'information. La taille de la cellule est plus petite que celle de la SRAMHynix va utiliser la mémoire dynamique Z-RAM, sur le site presence-pc.com, mais devrait être un peu moins rapide.
Principe de base Son principe est basé sur l'effet de corps flottant () de la technologie silicium sur isolant (en anglais, silicon on insulator ou SOI) Soft Error Performance of Z-RAM Floating Body Memory, sur le site ieee.org.
Une mémoire Z-RAM basée sur la technologie silicium sur isolant serait très onéreuse à produire et, de ce fait, serait réservée à des applications de niche.
Historique Advanced Micro Devices s'est intéressé à la technologie Z-RAM en 2006, mais n'a jamais développé de produits avec cette technologie Innovative Silicon revamps SOI memory, AMD likes it, sur le site eetimes.com.
Hynix s'est aussi intéressé à la technologie en 2007Hynix Licenses ISi Z-RAM Technology for Future DRAM Chips , sur le site dailytech.com, mais sans succès.
En , Innovative Silicon a annoncé qu'elle allait développer une seconde génération de mémoire Z-RAM basée sur la technologie CMOS et qui serait beaucoup moins coûteuse à produire, peu de temps avant de faire faillite le ''.
Ses brevets ont été transférés à Micron Technology en 2010, mais la technologie Z-RAM ne semble plus intéresser personne.
Schémas
Notes et références
Catégorie:Mémoire informatique