est un professeur d'électrotechnique.
Hiyamizu remporte en 1982 le prix du meilleur article de la en tant qu'auteur principal d'un article sur la mobilité dans les gaz d'électrons bi-dimensionnels tandis qu'il travaille au laboratoires Fujitsu, reçoit la IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award avec Takashi Mimura « pour sa contribution exceptionnelle à la croissance épitaxiale de matériaux et dispositifs composés semi-conducteurs », et en 2001 est nommé IEEE Fellow « pour sa contribution à la réalisation du premier (HEMT) ». Il est doyen de l'école d'ingénierie de l'université d'Osaka de 2000 à 2002.
Liens externes Satoshi Hiyamizu et al., "Extremely High Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in Selectively Doped GaAs/N-AlGaAs Heterojunction Structures Grown by MBE", Jpn. J. Appl. Phys. Vol.20 (1981) Pt.2 No.4, pp. L245-L248. IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award recipients IEEE Fellow Class of 2001 IEEE Fellow Class of 2001 (Tokyo section) Osaka University Graduate School of Engineering - history
Référence
Catégorie:Ingénieur japonais Catégorie:Ingénieur électricien Catégorie:Date de naissance non renseignée (XXe siècle) Catégorie:Étudiant de l'université d'Osaka Catégorie:Professeur à l'université d'Osaka Catégorie:Naissance en février 1943 Catégorie:Naissance à Osaka Catégorie:Décès en février 2019 Catégorie:Décès à 75 ans