La croissance assistée par faisceau d'électrons (en anglais (EBID)) est un procédé de décomposition, induite par un faisceau d'électrons, de molécules gazeuses adsorbées sur un substrat. La résultante en est un dépôt solide constitué des fragments non volatils de la molécule de précurseur. Le faisceau d'électrons, s'il provient d'un microscope électronique à balayage ou à transmission (scanning electron microscope) peut permettre la réalisation de structures à haute résolution spatiale (diamètre inférieur au nanomètre), ou des structures tridimensionnelles.

Procédé

Mécanisme de croissance

Résolution spatiale

Matériaux et précurseurs

Avantages

Inconvénients

Croissance induite par faisceau d'ions

Formes

Voir aussi Bibliographie . .

Articles connexes Sonde ionique focalisée Carbonyle de métal Métallocène

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Catégorie:Faisceau d'électrons Catégorie:Nanotechnologie