ジョン・ルイス・モル（John Louis Moll、1921年12月21日 - 2011年7月21日）はアメリカ合衆国の電子技術者。固体物理学への貢献で知られる。
経歴 オハイオ州フルトン郡のWauseonに、メノナイトで農民の両親の間に生まれ、オハイオ州立大学で1943年に物理学の学士号を取得し、1944～45年にはランカスターのRCA研究所に在籍していた。1952年にオハイオ州立大学で電気工学の博士号を取得した。
1952年から1958年まで、ベル研究所で半導体技術の研究グループを率いた。そこで、半導体材料としてのシリコンの優位性を認識し、二酸化ケイ素によるトランジスタのマスキング、ガス拡散によるドーピング、半導体-金属コンタクトなどの技術開発に関わったニック・ホロニアック The origin of diffused silicon technology at Bell Labs 1954-55, The Electrochemical Society Interface, Herbst 2007, pdf。
1958年から1972年までスタンフォード大学の教授を務めた。1970年からフェアチャイルドセミコンダクター社、1974年から1996年に退職するまでヒューレット・パッカード社に在籍した。
バイポーラトランジスタの動作を数学的に説明する、Ebers-Mollモデルは、エバースとモルにちなんで命名されたJ. J. Ebers, J. L. Moll Large signal behavior of junction transistors, Proceedings of the Institute of Radio Engineers, Band 42, 1954, S. 1761–1772。また二人は1950年代半ばにサイリスタを開発したパイオニアでもある（モルは1956年にpnpn構造として実現）Kirpal: , VDE。
受賞・栄典 1964年 - グッゲンハイム・フェロー選出 1967年 - ハワード・N・ポッツ・メダル 1971年 - J. J. エバース賞 1989年 - IEEE Lamme Medal 1991年 - エジソンメダル（拡散型および酸化膜マスク型シリコンデバイス、トランジスタ解析、p-n-p-nスイッチ、オプトエレクトロニクスへの先駆的な貢献に対して」） 1997年 - C&C賞
また、IEEEフェロー、アメリカ物理学会、全米技術アカデミー、米国科学アカデミーの各会員である。
脚注
参考文献 Dr. John Moll Wins C&C Prize. Hewlett-Packard. Accessed 2011-03-01. J.J. Ebers & J.L. Moll (1954) "Large signal behavior of junction transistors", Proceedings of the Institute of Radio Engineers 42(12):1761–72. Obituary. Accessed 2011-08-04.