大野 稔（おおの みのる、1927年〈昭和2年〉7月3日 - ）は、日本の技術者。1950年代〜70年代にかけて日立製作所にて半導体事業で活躍し、現在の集積回路の基幹技術であるMOSFETの国産化において中心的役割を果たしhttps://www.hitachihyoron.com/jp/pdf/1965/08/1965_08_11.pdf、日本国内におけるMOSFET（MOSトランジスタ）開発の立役者の一人として知られる。
経歴 1927年7月3日 名古屋市に生まれる。
1952年 名古屋大学工学部電気科（当時は電気工学科）卒業。その後、特別奨学生コースを終了し、工学部の助手を務める。（大学院では磁性材料の研究）
1957年 半導体の技術を探していた日立製作所の誘いに応じ入社、日立中央研究所に入所。当時からいわゆる電界効果トランジスタの可能性に着目し研究を進めていたが、当時の日本では懐疑的な見方をするものが多く、研究所の総務部長からは「せっかく入ったけれども、知り合いが所長の小さい研究所があるから」と暗に退社・転職を勧められるほどだった。本人によれば、自身がオーディオマニアであり、当時主流だったバイポーラトランジスタは雑音が多くオーディオ向きではないのに対し、電界効果トランジスタは原理的に雑音が少なくオーディオ向きであるため「趣味の延長線上で研究に取り組んでいた」側面も大きく、会社からは「公私混同も甚だしい」として顰蹙を買ったという。
1961年3月 3ヶ月間のアメリカ出張。技術提携先のRCA社における技術研修、調査が目的。
1963年4月 武藏工場開発部でMOS型の試作・研究を陣頭指揮。同月の電気通信学会トランジスタ研究会で「酸化皮膜をもつシリコン表面の荷電冷却効果」。また、全国大会で「MOS型トランジスタの試作とその特性」と題し、MOS技術の基礎となる成果を日本で初めて（世界ではRCA、フェアチャイルドセミコンダクターに次ぐ3番目）発表した。 この際の試作品は、実態はフェアチャイルドのプレーナー型トランジスタを流用し、酸化膜の上に電極を蒸着し電圧をかけることで電界効果トランジスタと同じ挙動を得られるものだった。同年、その研究成果を元に特許申請。当時はほとんど話題にもならなかったが、たまたま業界誌のニュースが英訳されてアメリカに伝わり、RCA社から高い評価を受けた。
1965年11月 再びアメリカ出張（3週間）。出張中、日立製作所にシャープから「電卓用MOS・IC」注文が入り、帰国後、日立製作所がMOSの本格化に着手。 以後、日立におけるMOSFETのオーソリティとして活躍した。当時は「"MOS"は"ミノル・オオノ・セミコンダクタ"の略だ」と嘯くこともあったという。
1967年 研究成果によりPチャンネルの第1世代MOSIC「HD700シリーズ」発売https://www.shmj.or.jp/shimura/ssis_shimura2_09.htm
1971年 市村産業賞本賞受賞https://www.sgkz.or.jp/prize/industry/list/sangyo_past.pdf
その後、日立製作所半導体事業部、日立超LSIエンジニアリング社長を歴任。
参考文献 株式会社フローディア「半導体の歴史」第13回─その12 20世紀後半 集積回路への発展（７）─SEAJ Journal 2010. 5 No. 126
脚注
注
出典