信越半導体株式会社（しんえつはんどうたい、、略称：SEH）は、東京都千代田区に本社を置く日本の半導体材料メーカー。信越化学工業の100%子会社であり、主として半導体の基板材料となるシリコンウェハーの製造・販売を行う。
1967年、信越化学工業と米国のダウ・コーニング（Dow Corning）との合弁会社として設立された。1979年に合弁を解消して信越化学工業の完全子会社となった。その後、日本のほか米国、マレーシア、英国、台湾などに生産拠点を展開した。
シリコンウェハーでは長期間にわたって世界最大手級の供給企業の一つとされている。市場調査会社Dataquestによる2001年の世界シェアは27.9%で首位、財務省が公表した2019年の市場データでは33.3%で世界首位であった。また、2001年には300 mm（12インチ）シリコンウェハーの量産を開始し、その後白河工場および米国拠点を中心に大規模な生産能力増強を行った。
シリコン半導体材料のほか、リン化ガリウム（GaP）、ヒ化ガリウム（GaAs）系などの化合物半導体材料やエピタキシャルウェハーの開発・製造も行っている。近年は窒化ガリウム（GaN）関連技術の開発にも関与している。
概要 信越半導体の主力製品であるシリコンウェハーは、集積回路やメモリ、マイクロプロセッサ、イメージセンサ、各種パワー半導体などを製造する際の基板として用いられる。
同社は単結晶シリコンの育成から、ウェハーへの切断・研磨、エピタキシャル成長などまでを手掛けており、福島県の白河工場では単結晶シリコンからポリッシュドウェハー、エピタキシャルウェハーまでの一貫生産を行う。
2026年時点で、信越半導体には半導体磯部研究所と半導体白河研究所の2研究所があり、シリコンウェハーの製造技術、品質向上、デバイスの微細化に対応する技術、薄膜SOIウェハーやFZウェハーなどの研究開発を行っている。
沿革 設立以前 信越化学工業は1960年、群馬県の磯部工場で西ドイツのシーメンスから導入した技術を用いて半導体用シリコンの生産を開始した。
その後、半導体シリコン事業を独立させる形で、1967年に信越半導体が設立された。同社の技術者であった吉田直人が1981年に『日本鉱業会誌』へ寄稿した論文によれば、信越半導体は信越化学工業のシリコン部門を母体とし、信越化学工業と米Dow Corningとの合弁会社として発足した。
出資比率は信越化学工業55%、Dow Corning 45%であった。
合弁解消と海外展開 1970年には福井県の武生工場が完成した。1973年にはマレーシアにS.E.H. Malaysiaを設立し、海外でのウェハー加工事業へ進出した。
1975年には磯部工場でGaPなどの化合物半導体材料の生産を開始した。
1979年6月、信越化学工業はDow Corningとの合弁契約を解消し、信越半導体を100%出資子会社とした。経営史研究では、Dow Corningが大型設備による少品種・大量生産型の多結晶シリコン事業を重視したのに対し、信越化学側は単結晶シリコンや電子材料、その周辺分野への事業拡大を志向したという事業方針の違いが合弁解消の背景として指摘されている。
同年、米国にShin-Etsu Handotai America, Inc.（S.E.H. America）を設立した。米UPI通信は1982年、同社がワシントン州バンクーバーに3,000万ドルを投じて新工場を建設すると報じている。この報道によれば、S.E.H. Americaは1980年にカリフォルニア州サンノゼからバンクーバーへ移転し、1981年6月に同地でウェハー生産を開始した。
白河工場とグローバル生産体制 1984年、福島県西白河郡西郷村に白河工場が完成した。白河工場は単結晶の育成からウェハー加工までを一貫して行う主力拠点として整備され、その後300 mmウェハーの主要生産拠点となった。
同年には英国にShin-Etsu Handotai Europe, Ltd.（S.E.H. Europe）を設立した。1993年にはマレーシアにS.E.H. (Shah Alam) Sdn. Bhd.を設立し、1995年には台湾にShin-Etsu Handotai Taiwan Co., Ltd.を設立した。
2026年時点では、米国、英国、マレーシア、台湾などに半導体シリコンの製造・加工・販売拠点を持つ。
300 mmウェハー 半導体製造では、ウェハー径を大きくすることで1枚のウェハーからより多くの半導体チップを製造できるため、1990年代後半から2000年代にかけて200 mmから300 mmへの移行が進められた。
2000年時点で信越半導体は既に300 mmウェハーの試作・供給を行っており、EE Timesは同社を当時のシリコンウェハー最大手として報じている。
信越半導体は2001年2月に300 mmシリコンウェハーの供給を開始した。信越化学工業はこれを「世界に先駆けて」量産を開始したものとしている。
2004年末には300 mmウェハーの月産能力が約30万枚となり、信越化学は白河工場と米ワシントン州バンクーバーのS.E.H. Americaに約10億ドルを投資し、2006年秋までに月産50万枚へ増強する計画を発表した。バンクーバー工場への300 mm設備導入は、信越半導体として初の海外300 mm生産拠点となった。
事業 シリコンウェハー 信越半導体は、チョクラルスキー法（CZ法）による単結晶シリコン、ポリッシュドウェハー、エピタキシャルウェハーなどを製造する。
ポリッシュドウェハーは単結晶インゴットを薄板状に切断した後、面取り、ラッピング、エッチング、研磨などの工程を経て鏡面加工したものである。エピタキシャルウェハーはポリッシュドウェハー表面に単結晶シリコン層を成長させたもので、ロジックIC、撮像素子、個別半導体などに用いられる。
また、SOIウェハーやFZウェハーなど、低消費電力・高速デバイス向けの特殊ウェハーについても研究開発を行っている。
化合物半導体 信越半導体は1975年から化合物半導体材料の開発を行っている。
製品にはGaPインゴットおよびウェハー、GaAsP系、AlGaInP/GaAs、AlGaAs/GaAs、GaInAsP/GaAsなどのエピタキシャルウェハーがあり、LED、VCSEL、センサー、太陽電池などへの用途がある。
このほか、MOVPE・HVPEによるエピタキシャル成長、ウェハー接合、フォトリソグラフィー、成膜、エッチング、ダイシング、評価など、化合物半導体デバイスの試作・パイロット生産向けプロセスも提供している。
GaN関連技術とQST基板 信越化学工業と信越半導体は、パワー半導体および高周波半導体向けに、通常のシリコンウェハーのほかSOIウェハーやGaN-on-Siliconウェハーなどを開発・販売してきた。
2019年、親会社の信越化学工業は米国Qromis, Inc.から、GaN成長用の複合材料基板であるQST（Qromis Substrate Technology）基板に関する技術ライセンスを取得した。QSTはQromisが開発した技術であり、信越半導体自身が発明した基板技術ではない。
QST基板はGaN/AlGaN層と熱膨張特性を近づけることで、通常のシリコン基板上で厚いGaN層を形成する際に問題となるウェハーの反りやクラックを抑えることを目的とする。2021年にはベルギーの研究機関IMECと半導体製造装置メーカーAIXTRONが、200 mm QST基板上で1200 V用途向けGaNエピタキシャル層を形成し、1800 Vを超える破壊電圧を実証した。
2022年には、信越半導体がサンケン電気からGaNエピタキシャル成長技術のライセンスを取得し、パワーデバイス、高周波デバイス、LED向けGaNエピタキシャル膜製品の製造・販売体制を整備した。
信越化学工業は2024年に300 mm QST基板を開発し、サンプル供給を開始した。
2025年10月、imecは300 mm GaNパワー半導体の研究開発プログラムを開始し、100 V以上の低電圧用途では300 mm Si(111)基板を、高耐圧となる650 V以上の開発では300 mm QST基板を使用すると発表した。同プログラムではCPU・GPU用のPoint-of-Load電源や、AIデータセンター、車載、再生可能エネルギー向け電力変換などが用途として想定されている。
なお、300 mm QST基板について信越化学工業は2025年時点で「量産化に取り組んでいる」としており、同時点では開発・顧客評価段階の製品を含む。
市場での位置づけ 信越半導体は1980年代までに日本最大級の半導体シリコン供給会社に成長した。1981年に発表された同社技術者の論文では、当時すでに「日本最大のシリコン材料供給企業」とされていた。
世界市場でも1990年代から2000年代にかけて大手の地位を維持した。市場調査会社Gartner Dataquestによると、2001年の世界シリコンウェハー市場における信越半導体のシェアは27.9%で、世界首位であった。同年の売上高はDataquest推計で約15億100万ドルであった。
2002年に住友金属工業と三菱マテリアルのシリコンウェハー事業が統合されSUMCOが発足した後も、EE Timesは信越半導体を世界最大のシリコンウェハー供給企業として報じている。
財務省が2022年に公表した資料に掲載された2019年の市場シェアでは、シリコンウェハー市場は信越半導体33.3%、SUMCO24.8%、GlobalWafers17.0%、Siltronic12.4%、SK Siltron10.5%などとなっており、信越半導体が首位であった。
市場シェアは調査会社や集計対象、年度によって変動するため、個々の数値は各調査時点のものである。
生産・研究拠点 国内 主な国内拠点として以下がある。
白河工場（福島県西白河郡西郷村） - 単結晶シリコン、ポリッシュドウェハー、エピタキシャルウェハーなどを一貫生産する主力工場。 磯部工場（群馬県安中市） - 信越化学の半導体シリコン事業発祥地の一つ。化合物半導体関連事業も展開。 武生工場（福井県越前市） - 1970年から信越半導体の生産を開始。 犀潟工場（新潟県） - 半導体シリコン関連の生産拠点。 半導体白河研究所（福島県） 半導体磯部研究所（群馬県）
海外 信越化学グループの公開資料では、2026年時点で以下の主要拠点が確認できる。
Shin-Etsu Handotai America, Inc.（米国ワシントン州バンクーバー） - 半導体シリコンウェハーの製造・販売。 Shin-Etsu Handotai Europe, Ltd.（英国スコットランド・リヴィングストン） - 半導体シリコンの製造・販売。 S.E.H. Malaysia Sdn. Bhd.（マレーシア） - 半導体シリコンウェハーの製造・加工・販売。 S.E.H. (Shah Alam) Sdn. Bhd.（マレーシア・シャー・アラム） - 半導体シリコンウェハーの製造・加工。 Shin-Etsu Handotai Taiwan Co., Ltd.（台湾・新竹市） - 半導体シリコンウェハーの製造・加工・販売。
Hemlock Semiconductorへの出資 信越半導体は、半導体用高純度多結晶シリコンの確保を目的とした上流事業にも関与してきた。
米国国際貿易委員会（USITC）の資料によれば、信越半導体は1984年、米国の多結晶シリコンメーカーHemlock Semiconductor Corporationへ24.5%出資した。1980年代の市場調査資料でも、信越半導体がHemlockの24.5%持分を保有し、同社から多結晶シリコンを調達していたことが記録されている。
2024年にはロイターが、Hemlock SemiconductorをCorningと信越半導体が所有する合弁会社として報道した。同年、米商務省はCHIPS and Science Actに基づき、Hemlockの半導体用ポリシリコン増産に最大3億2,500万ドルを支援する予備的合意を発表した。
東日本大震災 2011年3月11日に発生した東北地方太平洋沖地震（東日本大震災）では、福島県西郷村の白河工場が被災し、操業を停止した。
当時、白河工場は300 mmシリコンウェハーの世界的な主要供給拠点であった。米調査会社IHS iSuppliは、信越半導体白河工場とMEMC Electronic Materials宇都宮工場の停止により世界のシリコンウェハー生産量の約25%が影響を受け、白河工場だけで世界のウェハー生産量のおよそ20%を占めると推計した。
この操業停止は、同工場が世界の半導体サプライチェーンで占めていた比重の大きさから、半導体メーカーによるウェハー在庫や供給継続性への懸念を生じさせた。その後、設備の復旧と生産再開が順次進められた。
関連会社 信越半導体は信越化学工業の100%子会社であり、信越化学の電子材料事業の中核企業の一つである。
主要な半導体シリコン関連会社には、Shin-Etsu Handotai America、Shin-Etsu Handotai Europe、S.E.H. Malaysia、S.E.H. (Shah Alam)、Shin-Etsu Handotai Taiwanなどがある。
また信越化学グループ内では、長野電子工業、直江津電子工業、三益半導体工業などもシリコンウェハーの精密加工や再生ウェハーなどを手掛ける。
脚注
注釈
出典
関連項目 信越化学工業 SUMCO シリコン シリコンウェハー 半導体 化合物半導体 窒化ガリウム パワー半導体 Hemlock Semiconductor 半導体産業 QST基板
外部リンク 信越半導体株式会社 白河工場 信越化学工業 国内グループ会社一覧 Shin-Etsu Group Worldwide Network