三村 高志（みむら たかし、1944年12月14日 - ）は日本の工学者。工学博士。富士通研究所名誉フェロー。独立行政法人情報通信研究機構客員研究員。超高速半導体素子、HEMTの発明者。大阪府出身。
高電子移動度トランジスタ HEMTについて HEMTは、高速・低雑音性の極めて高いトランジスタである。HEMTは現在、衛星放送受信機や携帯電話機、カーナビゲーション受信機、自動車レーダーなどに使われており、IT社会を支える基盤技術として幅広く使われる技術となっている。また、電波望遠鏡用の低雑音受信機として、未知の星間分子を発見するのに役立ち、天文学の研究を進歩させたり、半導体の薄膜成長技術の進展を加速させ、その後の、化合物半導体を用いた電子デバイス、光デバイス技術の発展に役立つなど、産業界だけでなく、学問・技術研究の分野にも大きな貢献を果たしている。また、アメリカのクリントン政権 が2000 年 1 月に発表した National Nanotechnology Initiative においては、ナノテクノロジーの成功例の一つに HEMT があげられている。「ナノテクノロジーとエレクトロニクス」講演会報告
略歴 1967年 関西学院大学理学部物理学科卒業 1970年 大阪大学大学院基礎工学研究科物理系修士課程修了、富士通株式会社入社 1975年 富士通研究所 1982年 大阪大学より工学博士学位授与 1998年-2017年 富士通研究所フェロー 2006年-2016年 独立行政法人情報通信研究機構 ACT-G ミリ波デバイスプロジェクト 客員研究員 2016年- 独立行政法人情報通信研究機構 未来ICT研究所 統括特別研究員 2017年- 富士通研究所名誉フェロー 表彰 1981年 科学技術庁長官賞 1982年 電子情報通信学会業績賞 1986年 伴記念賞 1990年 IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award 1992年 発明協会恩賜発明賞 1993年 IEEEフェロー 1998年 紫綬褒章、SSDM Award、ISCSヴェルカー賞 2001年 電子情報通信学会フェロー 2004年 応用物理学会業績賞 2007年 応用物理学会フェロー 2017年 京都賞先端技術部門
脚注
参考文献 HEMT開発史 超高速トランジスタHEMTの誕生とその発展(関西学院大学同窓会報誌 "Science Winds"３号 p2 2007年11月) 高電子移動度トランジスタ-HEMT-の発明（応用物理 第78巻 第7号 2009年） 外部リンク 富士通研究所 HEMTについて