Herbert Kroemer (Weimar, - 8 de março de 2024) foi um físico alemão. Recebeu o Nobel de Física de 2000, pelo desenvolvimento de heteroestruturas de semicondutores usando optoeletrônica de alta velocidade.

Carreira Kroemer trabalhou em vários laboratórios de pesquisa na Alemanha e nos Estados Unidos e lecionou engenharia elétrica na Universidade do Colorado de 1968 a 1976. Ele se juntou ao corpo docente da UCSB em 1976, concentrando seu programa de pesquisa de semicondutores na tecnologia emergente de semicondutores compostos em vez da tecnologia de silício convencional. Junto com Charles Kittel, ele foi coautor do livro Thermal Physics, publicado pela primeira vez em 1980, e usado até hoje. Ele também é autor do livro Quantum Mechanics for Engineering, Materials Science and Applied Physics.H. Kroemer, Quantum Mechanics, Prentice Hall (1994)

Kroemer foi eleito como membro da Academia Nacional de Engenharia em 1997 pela concepção do transistor de heteroestrutura semicondutora e laser, e pela liderança na tecnologia de materiais semicondutores. Ele também foi eleito membro da Academia Nacional de Ciências em 2003.

Kroemer sempre preferiu trabalhar em problemas que estão à frente da tecnologia convencional, inventando o transistor de deriva na década de 1950 e sendo o primeiro a apontar que vantagens poderiam ser obtidas em vários dispositivos semicondutores incorporando heterojunções. Mais notavelmente, porém, em 1963 ele propôs o conceito do laser de dupla heteroestrutura, que é agora um conceito central no campo dos lasers semicondutores. Kroemer tornou-se um dos pioneiros na epitaxia por feixe molecular, concentrando-se na aplicação da tecnologia a novos materiais não experimentados.

Ligações externas

Not Just Blue Sky Personal Homepage UCSB Freeview video Interview with Herbert Kroemer by the Vega Science Trust U.S. Patent 5067828 Modulador de massa efetivo de elétrons transferidos (Herbert Kroemer) U.S. Patent 5013683 Método para o cultivo de super-redes inclinadas (Herbert Kroemer) Herb’s Bipolar Transistors IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 48, NO. 11, NOVEMBER 2001 PDF Influence of Mobility and Lifetime Variations on Drift-Field Effects in Silicon-Junction Devices PDF Heterostructure Bipolar Transistors and Integrated Circuits PDF

Categoria:Nobel de Física Categoria:Laureados da Alemanha com o Nobel Categoria:Laureados dos Estados Unidos com o Nobel Categoria:Medalha de Honra IEEE Categoria:Membros da Academia Nacional de Ciências dos Estados Unidos Categoria:Professores da Universidade da Califórnia em Santa Barbara Categoria:Professores da Universidade do Colorado Categoria:Físicos da Alemanha Categoria:Alunos da Universidade de Göttingen Categoria:Naturais de Weimar