Премия Ника Холоньяка () — награда Оптического общества (OSA). Вручается за выдающиеся достижения в области оптики с использованием полупроводниковых устройств и материалов. Названа в честь учёного Ника Холоньяка. Учреждена в 1997 году. Награждение проводится с 1998 года. Медалью награждены два лауреата Нобелевской премии.
Лауреаты
Год Лауреат Обоснование награды 1998 «За его фундаментальный вклад и руководство в области исследований и разработки материалов и устройств светодиодов (LED) видимого диапазона, включая первый жёлтый LED и высокоэффективные красные, оранжевые и жёлтые InAlGaP LED, которые превзошли по характеристикам лампу накаливания». 1999 Дэнис Депп () «За разработку лазера с вертикальным резонатором и поверхностным излучением с оксидным ограничением». 2000 Жорес Иванович Алфёров «За оригинальные исследования инжекционных лазеров на основе гетероструктур и непрерывных полупроводниковых лазеров при комнатной температуре». 2001 Сюдзи Накамура «За оригинальную демонстрацию и коммерциализацию полупроводниковых лазеров и светодиодов на основе GaN». 2002 Pallab K. Bhattacharya «За фундаментальные вклады в разработку и понимание лазеров на основе квантовых точек и других фотонных устройств с квантовым ограничением». 2003 Джо Чарльз Кемпбелл () «За вклад в разработку быстродействующих, малошумных, лавинных фотодиодов». 2004 Пётр Георгиевич Елисеев «За оригинальные и пионерские вклады в физику и технологию полупроводниковых лазеров, начиная с гомо-структур, затем переходя к гетероструктурам InGaAsP/InP, InGaAsSb/GaSb и включая квантовые точки с ультравысоким порогом». 2005P. Daniel Dapkus}}) «За основополагающие вклады в развитие металлоорганического химического осаждения из паровой фазы и его применение к лазерным устройствам на основе квантовых ям». 2006 «За карьеру, наполненную вкладом в лазеры на основе квантовых ям и напряжённых слоёв полупроводников через инновационные методы эпитаксиального роста и новые конструкции устройств». 2007 «За вклад в управление диодными лазерами: массивы лазеров с вертикальным резонатором и поверхностным излучением, инжекционную синхронизацию и медленное световое излучение». 2008Kam Yin Lau}}) «За основополагающий вклад в высокоскоростную прямую модуляцию полупроводниковых лазеров через усиленное дифференциальное оптическое усиление». 2009 «За фундаментальные и технологические достижения в области активных гибридных кремниевых фотонных устройств, включая лазеры, модуляторы, усилители и кремниевые активные фотонные интегрированные схемы». 2010 Дан Ботз () «За фундаментальный вклад в создание высокомощных полупроводниковых лазеров, включая активные фотонные кристаллические структуры для генерации мощного когерентного излучения; лазеры с дифракционной обратной связью и излучением с решеточной поверхностью с однообъемным лучом; а также высокомощные, высокоэффективные источники на основе технологии без алюминия». 2011 «За основополагающий вклад в лазеры на основе квантовых точек и нанофотонные устройства». 2012 Кент Д. Шакут () «За вклад в разработку лазеров с вертикальным резонатором и поверхностным излучением (VCSEL)». 2013 Alessandro Tredicucci «За демонстрацию терагерцового квантового каскадного устройства, первого компактного инжекционного лазера в дальнем инфракрасном диапазоне». 2014 Чин Тан «За открытие эффективных органических светодиодов на тонких пленках (OLED), что привело к созданию новых продуктов для дисплеев и освещения». 2015 Квин Ху () «За фундаментальный вклад в создание высокоэффективных терагерцовых квантовых каскадных лазеров и их применение в изображении и сенсорах». 2016 «За фундаментальные и устойчивые вклады в оптоэлектронные устройства на основе квантовых ям, квантовых точек и нанопроводов, а также их интеграцию». 2017 Ларри Колдрен () «За значительный вклад в развитие фотонных интегрированных схем». 2018 «За фундаментальные открытия в области роста и физики полупроводниковых наноструктур, приведшие к созданию новых нанофотонных устройств для информационных технологий и связи». 2019 Фумиё Куяма () «За фундаментальный вклад в фотонику и интеграцию VCSEL (поверхностных излучающих лазеров с вертикальным резонатором)». 2020 «За значительный вклад в гетероэпитаксию соединительных полупроводников на кремнии для будущих интегрированных лазеров и развитие области микроэкранов на основе светодиодов». 2021 «За широкомасштабный вклад в развитие и применение полупроводниковых устройств III-V группы, включая микро-SV-светодиоды на основе нитрида галлия и оптически накачиваемые полупроводниковые лазеры». 2022 Маршал Натан () «За работу по созданию диодных лазеров на основе GaAs и инновационные вклады в области соединительных полупроводников и лазерной физики». 2023 Ишайаху Фэйнман () «За исследования вклад в наномасштабную науку и технику ультра-малых, субмикрометровых полупроводниковых источников света и нанолазеров для применения в системах обработки информации». 2024 Теодор Мустакас () «За вклад в исследования материалов на основе нитридных полупроводников и оптические устройства, которые стали основой для создания синих и ультрафиолетовых светодиодов». 2025 Цзэтянь Ми () «За выдающийся вклад в разработку широкозонных наноструктур для испускания света и генерации энергии». 2026 Стивен Денбарс () «За новаторский вклад в разработку высокоэффективных GaN-светодиодов и лазерных диодов».
Примечания
Ссылки Сайт премии
Категория:Премии Оптического общества Категория:Списки лауреатов премий Категория:Физика полупроводников Категория:Награды по алфавиту