Подпоро́говая крутизна́ (более точно: крутизна переходной [сток-затворной] характеристики в подпороговой области, ) — показатель функциональности полевого транзистора при напряжениях исток-затвор ниже порогового напряжения . Определяется как .
Часто используется обратная подпороговая крутизна (), , измеряемая в милливольтах на декаду, то есть на порядок изменения тока стока.
Для технических целей желательны увеличение крутизны и, соответственно, минимизация величины обратной крутизны. В идеале, в подпороговом режиме характеристика должна иметь экспоненциальный вид ( — постоянная Больцмана, — температура, — элементарный заряд, const), а линия являться прямой, как для прямосмещённого p-n-перехода. Поэтому при температуре 300 К идеальная обратная крутизна составляет мВ/дек.
На практике значения несколько выше.
Нередки неточности терминологии, когда «крутизной» в данном контексте называется и собственно крутизна, и обратная крутизна, но обычно сразу понятно, о чём идёт речь.
Литература Подборка ScienceDirect о подпороговой крутизне (см., в частности, 3.3) Optimization of Ultra-Low-Power CMOS Transistors; Michael Stockinger, 2000
Категория:Транзисторы