PMOS (сокращение от ) — полупроводниковый прибор, p-канальный МОП-транзистор, в котором управление током осуществляется через p-канал. Термин «МОП» расшифровывается как Металл-Оксид-Полупроводник. PMOS транзисторы представляют собой тип полевых транзисторов и являются аналогом NMOS. На их основе строились элементы памяти, такие как Intel 1702, К505РР1. Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — лавинный пробой p-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах. По теоретическим данным, ячейка могла хранить информацию до 10 лет.
Примечания
Категория:Транзисторы