Валерий Николаевич Шастин (р. 18.06.1948) - российский учёный в области физики полупроводников и лазерной физики, доктор физико-математических наук, профессор, лауреат Государственной премии СССР 1987 года.
Родился 18 июня 1948 г. в Горьком.
Окончил Радиофизический факультет Горьковского государственного университета им. Н. И. Лобачевского (1971).
Трудовая деятельность: 1971−1977 инженер, младший научный сотрудник НИРФИ (Научно-исследовательский радиофизический институт); 1977−1993 младший, старший научный сотрудник ИПФ (Институт прикладной физики); с 1994 г. старший, ведущий, главный научный сотрудник отдела физики полупроводников, заведующий лабораторией полупроводниковых лазеров ИФМ (Институт физики микроструктур) РАН.
Профессор Высшей школы общей и прикладной физики Университета Лобачевского.
Научные интересы: полупроводники, инфракрасные лазеры и лазерная физика, неравновесные состояния электронов.
Диссертации: Инверсия населенностей свободных носителей и возможность усиления субмиллиметрового излучения в полупроводниках p-типа : диссертация … кандидата физико-математических наук : 01.04.10. — Горький, 1983. — 167 с. : ил. Инверсия населенностей внутризонных состояний и усиление дальнего ИК излучения в полупроводниках : диссертация … доктора физико-математических наук в форме науч. докл. : 01.04.10. — Нижний Новгород, 1998. — 50 с.; 20х15 см.
Государственная премия СССР 1987 года — за цикл работ «Инвертированные распределения горячих носителей заряда и генерация стимулированного излучения в полупроводниках в миллиметровом, субмиллиметровом и дальнем инфракрасном диапазонах» (1966—1985).
Избранные публикации: Об усилении далекого инфракрасного излучения в германии при инверсии населенностей «горячих» дырок / Шастин В. Н., Андронов А. А., Козлов В. А., Мазов Л. С., Письма в ЖЭТФ 30 (9), 585 (1979). Стимулированное излучение в длинноволновом ИК диапазоне на горячих дырках Ge в срещенных электрическом и магнитном полях / Шастин В. Н., Андронов А. А., Зверев И. В., Козлов В. А., Ноздрин Ю. Н., Павлов С. А., Письма в ЖЭТФ 40 (2), 69 (1984). Перестраиваемые лазеры дальнего ИК-диапазона на горячих дырках в полупроводниках / Шастин В. Н., Андронов А. А., Ноздрин Ю. Н., Изв. АН СССР. Сер. физическая 50 (6), 1103 (1986); Квантовые осцилляции коэффициента усиления и стимулированное излучение на межподзонных переходах горячих дырок p-Ge / В. Н. Шастин, А. В. Муравьев, Ю. Н. Ноздрин, Письма в ЖЭТФ 43 (7), 348 (1986). Субмиллиметровые лазеры на горячих дырках в полупроводниках / В. Н. Шастин и др., Коллективная монография под редакцией А. А. Андронова, Горький, ИПФ АН СССР (1987). Hot hole inter-sub-band transition p-Ge FIR laser / В. Н. Шастин, Opt. Quantum Electronics 23 (2), 111 (1991). Landau quantization and hot hole stimulated emission in crossed electric and magnetic fields / V. N. Shastin, A. V. Murav’jov, Opt. Quantum Electronics 23 (2), S313 (1991). Stimulated emission from donor transitions in silicon / S. G. Pavlov, R. Kh. Zhukavin, E. E. Orlova, V. N. Shastin, A. V. Kirsanov, A. H-W. Hubers, K. Auen and Riemann, Phys. Rev. Lett. 84 (22), 5220 (2000). Terahertz lasers based on germanium and silicon / V. N. Shastin, Hübers H.-W., S. G. Pavlov, Semiconductor Science and Technology 20, 1 (2005). Stimulated Terahertz Stokes Emission of Silicon Crystals Doped with Antimony Donors / S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, D. A. Carder, P. G. Phillips, B. Redlich, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin and V. N. Shastin, Phys. Rev. Let. 96, 037404 (2006). Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon / V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, K. A. Kovalevsky, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers et. al., Appl. Phys. Lett. 90, 051101 (2006). Stimulated terahertz emission due to electronic Raman scattering in silicon / V. N. Shastin, S. G. Pavlov, U. Böttger, J. N. Hovenier, N. V. Abrosimov, H. Riemann et. al., Appl. Phys. Lett. 94, 171112 (2009). Spin-orbit coupling effect on bismuth donor lasing in stressed silicon / R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, S. G. Pavlov, H.-W. Hubers, H. Riemann, N. V. Abrosimov and A. K. Ramdas, Appl. Phys. Lett. 99, 171108 (2011).
Источники http://www.ipmras.ru/institute/persons/staff/91-shastin-valeriy-nikolaevich/