Алекса́ндр Алекса́ндрович Рогачёв (18 декабря 1937, Ленинград — 23 октября 1999, Санкт-Петербург) — советский и российский учёный, специалист в области физики полупроводников, оптоэлектроники и твердотельных приборов. Работал в Физико-техническом институте. Доктор физико-математических наук, профессор. Труды посвящены полупроводниковым лазерам, гетеропереходам, многоэкситонным комплексам, явлениям в области перехода диэлектрик–металл.

Годы становления Ребёнком пережил блокаду Ленинграда. После средней школы окончил физичеcкий факультет Ленинградского университета (ЛГУ).

В ФТИ им. Иоффе По завершении обучения был принят на работу в Физико-технический институт (ФТИ им. А. Ф. Иоффе), где в итоге проработал 40 лет. В ФТИ прошёл все должности от старшего лаборанта до заведующего лабораторией.

В 1967 году представил диссертацию на соискание степени кандидата наук, но уровень работы оказался настолько высоким, что учёный совет решил присудить докторскую степень.

Одним из крупнейших достижений Рогачёва стало обнаружение конденсации экситонов в германии и стимулированного излучения в арсениде галлия (Ленинская премия, 1964). Другая его знаковая работа, «Многоэкситонные комплексы в полупроводниках», отмечена Государственной премией (1988). А. А. Рогачёву также принадлежит разработка ИК лазера на гетеропереходе второго типа (середина 1980-х).

Некоторые труды А. М. Монахов, А. А. Рогачёв, “Захват электронно-дырочных пар на границе гетероперехода второго типа”, Физика твердого тела, 32:3 (1990), 778–783 А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, Е. А. Гребенщикова, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков, А. А. Рогачёв, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Спонтанная электролюминесценция в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb (λ=2.5 мкм, T=300 K)”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1373–1377 П. Д. Алтухов, А. В. Иванов, Ю. Н. Ломасов, А. А. Рогачёв, “Двумерное состояние неравновесных электронно-дырочных пар, связанных со слоем поверхностного заряда в кремнии”, Физика твердого тела, 27:6 (1985), 1690–1696 Н. С. Аверкиев, С. А. Обухов, А. А. Рогачёв, Н. А. Рудь, “О природе линий излучения сильно легированного арсенида галлия p-типа в присутствии одноосной деформации”, Физика твердого тела, 25:2 (1983), 343–345

Преподавание Наряду с исследовательской работой занимался преподаванием, профессор базовой кафедры оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) (1973).

Семья Супруга А. А. Рогачева (Е. В. Остроумова) и их дочь Екатерина также работали в ФТИ на научно-инженерных должностях.

Примечания

Категория:Доктора физико-математических наук Категория:Сотрудники Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе Категория:Лауреаты Ленинской премии Категория:Лауреаты Государственной премии СССР Категория:Выпускники физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета Категория:Преподаватели Санкт-Петербургского электротехнического университета