3. Implantacja argonu: Wstępne implantowanie jonów argonu w filmie przed dewettingiem jest skutecznym sposobem kontroli wielkości i gęstości nanokrystalicznych struktur powstałych po dewettingu. Wyższa dawka implantacji powoduje tworzenie mniejszych, gęściej rozmieszczonych wysp.
4. Kontrola składu ultracienkich filmów SiGe: W filmach SiGe, dewetting można wykorzystać do formowania nanokrystalicznych wysp o kontrolowanym stosunku Si/Ge. Pozwala to uzyskać pożądany skład nanokrystalicznych wysp, co jest istotne dla ich właściwości elektronicznych i optycznych.
Zastosowania Kontrola procesów dewettingu jest wykorzystywana m.in. w: wytwarzaniu mikro- i nanostruktur, technikach drukowania cienkich warstw, projektowaniu powłok funkcjonalnych, technologii ogniw paliwowych.
Zobacz też Zwilżanie Napięcie powierzchniowe
Przypisy
Kategoria:Fizyka materii skondensowanej Kategoria:Mechanika płynów