Reakcję tę można przeprowadzać, stosując roztwór HMDS w rozpuszczalnikach organicznych, jak i znacznie efektywnej używając par HMDS w komorze podciśnieniowej (np. eksykatorze). Fotorezyst nanoszony jest najczęściej za pomocą techniki nazywanej z ang. spin-coating. Polega ona na nakropieniu dość stężonego roztworu polimeru na szybko obracającą się (kilka tys. RPM) płytkę podłoża. Równomierne rozprowadzenie rezystu jest możliwe dzięki działającym siłom odśrodkowym, nadmiar zostaje zwirowany poza krawędź płytki lub (częściowo) gromadzi się w postaci zgrubienia na jej obwodzie – poza obszarem istotnym dla fotolitografii. Aby powstałe zgrubienie nie przeszkadzało w dalszych procesach (np. naświetlaniu z maską), możliwe jest jego usunięcie jeszcze podczas wirowania na spin-coaterze bądź na drodze mechanicznej (za pomocą szpatułki), bądź też przez nakropienie na krawędź wirującej płytki rozpuszczalnika zmniejszającego lepkość fotorezystu (w przypadku fotorezystu SU-8 używa się np. cyklopentanonu). Dobierając odpowiednio parametry procesu i rodzaj rezystu, można otrzymywać warstwy o grubości od 0,5 μm do 1 mm. W przypadku cienkich warstw odchylenia grubości warstwy rezystu są rzędu 30 nm (udaje się nawet 1 nm).