W przybliżeniu grubość warstwy jest odwrotnie proporcjonalna do pierwiastka prędkości wirowania i wprost proporcjonalna do lepkości roztworu, jednak warunki pokrywania są zazwyczaj optymalizowane doświadczalnie. Po zakończeniu wirowania płytkę ogrzewa się w celu odparowania nadmiaru rozpuszczalnika, wstępnego utwardzenia fotorezystu i poprawienia jego przyczepności do podłoża.
Maski fotolitograficzne Maska umożliwia wybiórcze naświetlenie wybranych obszarów fotorezystu. Aby to umożliwić, na masce znajduje się wzór składający się z obszarów nieprzepuszczalnych i przepuszczalnych (okna) dla promieniowania stosowanego przy naświetlaniu. Jedna maska może zostać użyta wielokrotnie, w związku z tym często istotna jest jej trwałość i sposób naświetlania (kontaktowe lub bezkontaktowe). Precyzja wykonania określa maksymalną rozdzielczość lub inaczej mówiąc rozmiar krytyczny, czyli najmniejszy możliwy do uzyskania rozmiar wzoru. Maski wykonuje się również metodami litograficznymi. W przypadku technik o niewysokiej rozdzielczości, np. wykorzystujących do naświetlania promieniowanie widzialne, można użyć stosunkowo taniej maski szklanej pokrytej emulsją fotograficzną lub nawet masek foliowych. Np. foliowy diapozytyw przygotowany na naświetlarce laserowej umożliwia naświetlania wzorów o wymiarach sięgających 20–50 mikrometrów.