Warstwa inwersyjna tworzy kanał.
Tak jest w przypadku tranzystorów z kanałem indukowanym, natomiast w tranzystorach z kanałem wbudowanym istnieje on nawet przy zerowym napięciu
W zakresie nienasycenia zależność prądu drenu od napięcia bramka-źródło wyraża przybliżony wzór:
gdzie – współczynnik transkonduktancji, parametr zależny od tranzystora. Dla niewielkich napięć drenu zależność ta jest liniowa.
Zakres nasycenia
Gdy kanał już istnieje, zwiększanie napięcia dren-źródło powoduje zwiększanie prądu drenu. To z kolei powoduje odkładanie się pewnego napięcia na niezerowej rezystancji kanału. Napięcie to powoduje zmniejszenie różnicy potencjałów między bramką a kanałem, czego wynikiem jest zawężenie warstwy inwersyjnej. A że różnica potencjałów rośnie od źródła do drenu, również przekrój kanału maleje w tym samym kierunku – w obszarze przy drenie kanał uzyskuje najmniejszy przekrój.
Jeśli przekroczy wartość to w pobliżu drenu kanał zniknie, w jego miejsce pojawi się obszar zubożony, mający bardzo dużą rezystancję (wraz ze wzrostem napięcia dren-źródło obszar zubożony rozszerza się) i wówczas praktycznie całe napięcie odkłada się na warstwie zubożałej.
Najprostszy model tranzystora przyjmuje, że napięcie nasycenia W zakresie nasycenia prąd drenu jest zależny od napięcia zależność tę przybliża się wzorem: