gdzie – współczynnik transkonduktancji, parametr zależny od tranzystora.
Podstawowe parametry tranzystora Podstawowymi parametrami opisującymi tranzystor typu MOS są: transkonduktancja [S] (simens). Określa jak zmiany napięcia bramka-źródło wpływają na prąd drenu, na charakterystyce przejściowej określa jej nachylenie. parametry graniczne – maksymalne napięcia i prądy elektrod, maksymalna moc tracona – określają zakres bezpiecznej pracy elementu. napięcie odcięcia [V] (wolt) – określa napięcie bramka-źródło, dla którego zanika prąd drenu. Dla tranzystorów wzbogacanych jest zawsze dodatnie, dla zubożanych zawsze ujemne. napięcie włączenia [V] – określa wartość napięcia sterującego dla którego tranzystor jest nasycony, a oporność kanału nie zależy od napięcia dren-źródło. Parametr jest bardzo istotny w zastosowaniach impulsowych – w tym stanie rezystancja kanału jest minimalna. rezystancja włączenia [Ω] (om) – określa oporność kanału tranzystora w stanie liniowym (triodowym). czas włączenia i czas wyłączenia [ns] (nanosekunda) – czasy przejścia tranzystora z pełnego zatkania w stan nasycenia i ze stanu pełnego nasycenia do stanu odcięcia. Bardzo istotne w pracy impulsowej. pojemność bramki [pF] (pikofarad).
Zobacz też BC-MOS
Przypisy
Kategoria:Tranzystory Kategoria:Energoelektronika