Długość Debye’a w półprzewodnikach Długość Debye’a staje się coraz bardziej znacząca w modelowaniu urządzeń z materiałów stałych, jak usprawnienia w litografii, gdzie możliwe stają się mniejsze geometrie.
Długość Debye’a dla półprzewodników jest dana
gdzie: – stała dielektryczna, – stała Boltzmanna, – temperatura w kelwinach, – ładunek elementarny, – gęstość domieszek (zarówno donatorów jak akceptorów).
Kiedy profil domieszek przekracza długość Debye’a, zachowanie większości nośników nie odpowiada już rozkładowi domieszek. Zamiast tego, pomiar profilu gradientu domieszek daje profil „efektywny”, który lepiej odpowiada profilowi gęstości nośników.
W kontekście półprzewodników, długość Debye’a jest również nazywana długością ekranowania Thomasa-Fermiego.
Zobacz też otoczka Debye’a (plazma) podwójna warstwa elektryczna (elektrolit) warstwa podwójna (plazma)
Przypisy
Bibliografia
Kategoria:Elektrochemia Kategoria:Fizyka plazmy Kategoria:Fizykochemia koloidów