Un thyristor est un interrupteur électronique semi-conducteur à l'état solide constitué de quatre couches, alternativement dopées N et P. C'est un des composants essentiels de l'électronique de puissance. Il tire son nom du grec , « porte, ouverture », et du suffixe « -istor » qui provient du mot transistor. Il se comporte comme une bascule synchrone, c'est-à-dire qu'il reste commandé à l'allumage, par la gâchette (g), mais pas à l'extinction qui est provoquée par le passage du courant principal I à une valeur inférieure au courant de maintien I.
Les premiers thyristors commerciaux sont sortis en 1956. Leur capacité à commander une grande quantité de puissance et de tension associées à une grande compacité leur a permis de trouver de nombreux champs d'applications dans l'électronique de puissance : ils servent ainsi dans les convertisseurs statiques tels que les gradateurs, les redresseurs pilotés, les onduleurs, pour la commande des moteurs électriques, que ce soit dans l'industrie, le ferroviaire, l'avionique ou l'automobile, pour les lignes électriques HVDC Ils sont particulièrement adaptés quand la puissance est élevée mais la fréquence basse.
Les thyristors classiques se servent du passage par zéro du courant pour s'ouvrir, cela les rend inutilisables seuls pour la commande de courant alternatif. Des modifications de structure permettent d'ouvrir les thyristors grâce au signal de la gâchette, par exemple dans le cas des GTO. Par ailleurs, le régime de fonctionnement conduction/blocage des thyristors étant en tout ou rien, ils ne sont pas adaptés pour la réalisation d'amplificateurs analogiques.
Le thyristor est parfois dénommé SCR (, soit « redresseur silicium commandé ») thumb|Symbole électrique d'un thyristor.
Principe Le thyristor est un composant électronique semi-conducteur à trois bornes composé de quatre couches de silicium dopées alternativement par des accepteurs (P) et des donneurs (N). La structure en couches P-N-P-N du thyristor peut être modélisée par deux transistors PNP et NPN connectés selon le schéma ci-dessous. Les deux bornes principales : l'anode et la cathode, se situent de part et d'autre des quatre couches. La troisième borne, appelée gâchette, sert à commander le thyristor. Elle est reliée à la couche P près de la cathode. On peut modéliser le fonctionnement d'un thyristor par deux transistors bipolaires connectés de manière à former une bascule : thumb|center|600px|Modélisation physique et électronique d'un thyristor, ainsi que son symbole.. En suivant la convention récepteur on peut définir : V tension entre l'anode et la cathode du thyristor ; V tension entre la gâchette et la cathode ; I courant considéré comme positif lorsque traversant le thyristor de l'anode vers la cathode ; I courant considéré comme positif lorsque rentrant sur la gâchette. thumb|upright=0.5|Schéma des couches et des jonctions d'un thyristor. Un thyristor a trois états possibles. : Tension négative, thyristor bloqué : V est négatif, comme une diode dans ce cas, il est bloqué ; Tension positive, thyristor bloqué : V est positif, mais I est nul. À la différence d'une diode, le thyristor est bloqué ; Tension positive, thyristor passant : V est positif (supérieure à la tension de seuil), une impulsion d'un courant I positive a été donnée entre la gâchette et la cathode. Le thyristor est passant ; il conduit : le courant I traverse le thyristor de l'anode vers la cathode. Lorsque le courant dépasse initialement la valeur nécessaire au déverrouillage du dispositif par le déclenchement de la gâchette, le thyristor reste conducteur tant et aussi longtemps que le courant ne descend pas en dessous d'une certaine valeur, appelée courant de maintien. Le dispositif se comporte alors comme une diode. Il y a une chute de tension aux bornes du thyristor, légèrement plus grande que la tension de seuil, de l'ordre de 1 ou .
Fonctionnement Un thyristor possède trois jonctions P-N, nommées J, J, J à partir de l'anode (voir ci-dessus). Quand V est positive (anode positive par rapport à la cathode), mais qu'aucun courant n'entre par la gâchette, les jonctions J et J sont polarisées positivement (tension positive sur P par rapport à N), tandis que J est polarisée négativement (tension positive sur N par rapport à P). J empêche donc la conduction. thumb|Caractéristique I-V d'un thyristor. La caractéristique I-V d'un thyristor est présentée ci-contre : Avalanche, ou tension de claquage négative ; Courant inverse ; Courant de fuite direct ; Tension d'amorçage (tension de « claquage » positive) directe ; Courant de maintien : Courant de conduction.
Si la tension V dépasse la valeur de la tension d'amorçage (4 sur la caractéristique), alors la jonction J se met à conduire, le thyristor aussi (6 sur la caractéristique).
Si V est positive, alors la valeur de la tension d'amorçage diminue : V doit être plus faible pour que le thyristor conduise. En choisissant judicieusement I, on peut amorcer facilement le thyristor. thumb|Influence du courant de gâchette sur la caractéristique I-V d'un thyristor. Une fois que l'effet d'avalanche a eu lieu, le thyristor continue à conduire quelle que soit la valeur du courant de gâchette jusqu'à ce que, soit : Le courant I devienne inférieur à la valeur du courant de maintien (5 sur la caractéristique) ; V devienne négative (voir aussi : Défaut de commutation). V peut donc être délivrée de manière impulsionnelle, par exemple grâce à la tension de sortie d'un oscillateur de relaxation de type transistor unijonction.
Quand le thyristor se trouve dans un système en courant alternatif sinusoÏdal, ce qui est généralement le cas, il est d'usage de définir le retard t, entre le moment où V devient positive et le début de l'impulsion de la gâchette, par un angle, appelé « angle de retard à l'amorçage (ou à l'ouverture) » et noté α, tel que ..
La gâchette est caractérisée par sa tension d'amorçage, notée V, et son courant d'amorçage, noté I ; le circuit de commande doit être tel que la droite de charge du générateur soit placée dans la partie de l'amorçage sûr de la caractéristique tension/courant de la jonction gâchette-cathode.. La durée de l'impulsion dépend de la nature de la charge, en cas de charge inductive l'impulsion doit avoir une durée supérieure au temps nécessaire pour que le courant I dépasse la valeur du courant de maintien I. Le temps total d'amorçage du thyristor (délai d'amorçage plus temps d'amorçage) est dépendant de l'amplitude du courant de gâchette, plus ce courant est élevé plus le temps est court et inversement..
Commutation Si l'on veut bloquer le thyristor alors qu'il est déjà à l'état conducteur, il faut utiliser un circuit extérieur. La première possibilité est d'appliquer une tension négative à ses bornes, on parle alors de commutation par la ligne (le réseau électrique alternatif, par exemple) ou de commutation naturelle. La seconde consiste à activer un second thyristor qui va alors permettre la décharge d'une capacité à travers la cathode du premier thyristor. On parle alors de commutation forcée.
Défaut de commutation thumb|Un thyristor a besoin d'un temps de blocage t pour retrouver sa capacité isolante après l'interruption du courant. Après l'extinction du courant, un thyristor a besoin d'un temps de repos avant de retrouver son pouvoir bloquant.. On parle de temps de blocage ou de désamorçage noté t. Son ordre de grandeur est variable selon les types de thyristors (classiquement de 10 à ). Si une tension positive est appliquée à ses bornes avant la fin de ce délai, les porteurs de charge (trous et électrons) ne se sont pas encore tous recombinés, et le thyristor se réamorce sans impulsion de gâchette. On parle de défaut de commutation.
Ainsi, si la fréquence est élevée, un temps de repos faible est nécessaire. Des thyristors rapides peuvent être réalisés par diffusion d'ions de métaux lourds, tels que l'or ou le platine, qui rendent la recombinaison du silicium plus brève. En 2014, d'autres solutions sont privilégiées : soit le silicium est irradié par des électrons ou des protons, soit en implantant des ions. L'irradiation est plus polyvalente que le dopage aux métaux lourds, car le dosage peut être ajusté par petite touche, même à la fin de la fabrication.
Le thyristor peut également devenir passant de manière intempestive si : Le thyristor est à l'état bloqué et la tension V dépasse un niveau élevé appelé tension de retournement (1 sur la caractéristique), il devient alors passant « sans commande sur la gâchette » ; La vitesse de montée de la tension au blocage V (dv/dt) est trop rapide. Ceci même si la tension est inférieure à la tension de retournement. Ce qui arrive dans le cas d'une tension carrée par exemple.
Afin de limiter la montée en tension, un circuit amortisseur peut être monté entre l'anode et la cathode du thyristor. Il peut s'agir d'un simple circuit RC.
Enfin, les fabricants de thyristors définissent généralement une plage de tension, de courant et de températures pour le fonctionnement nominal. La puissance maximale de la gâchette est également à prendre en compte. Le courant I ne doit pas s'établir trop rapidement (di/dt) sous peine de produire un échauffement localisé trop important du composant pouvant conduire à sa destruction.
Histoire thumb|Deux bancs en parallèle de six thyristors disques (en boîtiers ) en série, de courant nominal pour une application HVDC.
Invention Le (SCR), plus tard renommé thyristor, a été imaginé par William Shockley en 1950, l'idée a muri ensuite grâce au travail du Bell labs et de Moll en particulier. Finalement, il est construit en 1956 par des ingénieurs de General Electric dirigés par Gordon Hall. Il est enfin commercialisé par Frank W. « Bill » Gutzwiller, un employé de GE..
Étymologie Un tube à gaz antérieur, appelé thyratron, possédait des capacités électroniques similaires au thyristor. Une faible tension de commande permettant de commuter un courant important. Le mélange des mots « thyratron » et « transistor » donne le terme « thyristor », qui remplace vers 1965 le sigle SCR utilisé par General Electric. Le mot thyratron est lui-même composé du préfixe « thyr- », venant du grec signifiant porte, et du suffixe signifiant instrument ..
Types de thyristors vignette|Un thyristor / en boîtier à vis et un thyristor / en boîtier TO-220. thumb|Différents thyristors (sans leurs boîtiers, il s'agit ici des « pastilles ») de caractéristiques différentes : en haut à gauche un de tension nominale et courant nominal , en bas /, à droite / ; une diode 1N4007 sert d'étalon de grandeur. (AGT) : un thyristor dont la gâchette est connectée à la couche dopée N près de l'anode. Thyristor asymétrique., (ASCR). (BCT) : un composant de commutation contenant deux structures de thyristors avec deux gâchettes séparées. (BOD) : un thyristor sans gâchette s'amorçant uniquement grâce à l'effet d'avalanche. Diac : deux thyristors en tête-bêche sans gâchette servant à amorcer les Triac. Dynistor : dispositif unidirectionnel servant à l'amorçage. : thyristor sans gâchette : composant de commutation bidirectionnel. , Sidactor : composant de protection bidirectionnel. Thyristor GTO (GTO) : thyristor commandé par la gâchette à la fermeture et à l'ouverture. Thyristor ETO (ETO). : thyristor commandé à la fermeture et à l'ouverture grâce à un MOSFET. (IGCT) : thyristor commandé à la fermeture et à l'ouverture. (DB-GTO) : thyristor commandé à la fermeture et à l'ouverture. (MA-GTO) : GTO modifié. Thyristor à commande optique ( [LASCR] ou ( [LTT]) : thyristor amorcé grâce à la lumière, voir ci-dessous. (LASS) Thyristor MCT (MCT) : thyristor avec deux MOSFET intégrés. (BRT) Thyristor à conduction inverse (RCT) : voir ci-dessous. (PUT ou PUJT) : thyristor dont la gâchette est connectée à la couche dopée N près de l'anode, utilisé pour remplacer le transistor unijonction.