L' ou EOT, généralement exprimée en nanomètres (nm), est l'épaisseur d'une couche de SiO2 offrant les mêmes propriétés électriques qu'une couche de matériau diélectrique high-k.

Le terme EOT est souvent utilisé pour la description de transistors à effet de champ à grille métal-oxyde (MOSFET), dont le fonctionnement repose sur la présence d'une électrode isolée nommée grille, constituée chimiquement d'un oxyde, et de régions en matériaux semi-conducteurs dopés. Les performances du transistor dépendent largement de l'épaisseur de la grille isolante en SiO2, s'améliorant grâce à une diminution de cette épaisseur. Au cours de l'histoire industrielle de la micro-électronique, cette épaisseur de grille n'a cessé de diminuer. Lorsqu'elle a atteint un niveau de l'ordre de 5 à 10 nm, l'augmentation des courants de fuite du transistor est devenue problématique, et il a été nécessaire de faire appel à de nouveau oxydes de grille, autres que le SiO2. Ces nouveaux matériaux de grille ayant des épaisseurs équivalentes plus faibles que le SiO2, mais une épaisseur réelle similaire, ils permettent d'augmenter la vitesse de commutation du dispositif sans pour autant augmenter ses courants de fuite.

Par exemple, un matériau high-k ayant une permittivité de 39 (comparée à la permittivité du SiO2, valant 3,9) serait, à performances égales, dix fois plus épais que le SiO2, permettant ainsi de réduire les courants de fuite à travers la grille, tout en offrant la même capacité et des performances élevées. En d'autres termes, c'est une couche de SiO2 dont l'épaisseur serait égale à un dixième de la couche de high-k qui serait nécessaire pour obtenir des performances similaires sans pour autant accroître les courants de fuite, soit encore : l'EOT de matériau high-k considéré vaut un dixième de son épaisseur réelle.

De façon générale, l'EOT se formule comme suit :

L'EOT, en permettant de convertir une donnée physique (en l'occurrence, la permittivité) en donnée géométrique (une épaisseur) est pratique pour comparer rapidement divers matériaux high-k au SiO2 standard.

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