L'Intel 1103 est un circuit intégré (CI) de mémoire vive dynamique (DRAM) développé et fabriqué par Intel. Introduit en , la 1103 fut le premier circuit intégré DRAM commercialement disponible ; et en raison de sa petite taille physique et de son faible prix par rapport à la mémoire à tores magnétiques, il remplaça celle-ci dans beaucoup d'applicationsJacob, Bruce et al. (2008). Memory Systems: Cache, DRAM, Disk. Morgan Kaufmann Publishers. pp. 457–458.. Quand il fut introduit en 1970, les rendements initiaux de production étaient faibles, et ce n'est qu'au cinquième stepping des masques de production qu'il est devenu disponible en grandes quantités en 1971. Intel expédia la 250000 puce de RAM 1103 en .
Développement En 1969, William Regitz et ses collègues d'Honeywell inventèrent une dynamique à trois transistors et commencèrent à prospecter l'industrie des semi-conducteurs pour trouver un fabricant. La société Intel Corporation récemment fondée répondit et développa deux puces 1024 bits très similaires, la 1102 et la 1103, sous la direction de Joel Karp, travaillant en étroite collaboration avec William Regitz. Finalement, seule la 1103 fut mise en production.
devint la première seconde source du 1103 en 1971. Ensuite, National Semiconductor, Signetics et Synertek fabriquèrent également la 1103.
Détails techniques
thumb| DRAM d'une puce Intel i1103
tRWC580 nsTemps de cycle de lecture ou d'écriture aléatoire (d'un front de précharge +ve au suivant)tPO300 nsTemps d'accès : de Precharge High jusqu'à la sortie de données validestREF2 msIntervalle de rafraichissementVCC16 VTension d'alimentationp-MOS8 μmProcédé de fabrication (MOSFET à grille au silicium)Capacité1024x1Capacité x largeur bus
Références
Catégorie:Intel Catégorie:Produit lancé en 1970 Catégorie:Mémoire informatique