Жидкофазная эпитаксия () — разновидность эпитаксии как одного из технологических методов, применяемых для получения многослойных полупроводниковых соединений, таких как GaAs, CdSnP2.
Описание Жидкофазная эпитаксия — это один из технологических методов, применяемых для получения многослойных полупроводниковых соединений, одна из разновидностей эпитаксии. В микроэлектронике он использовался для получения гетероструктур — двойных, таких как GaAs, и тройных, таких как CdSnP2.
Первоначально создается шихта, в состав которой входит несколько составляющих. Его основой является металл-растворитель, который должен обладать низкой температурой плавления, а также хорошо растворять материал подложки. Например, для выращивания GaAs используются растворы на основе галлия, для CdSnP2 — на основе олова. Второй составляющей является материал для наращивания слоя. Кроме того, при необходимости используется легирующая примесь (может подаваться в виде газа). Шихту необходимо расплавить до получение однородного полновесного раствора. Чтобы восстановить имеющийся на поверхности подложек и расплава оксидные пленки, процесс проводится в атмосфере азота, водорода. Можно также делать эпитаксию в вакууме, но тогда необходимо предварительно удалить оксидную плёнку. Попадая на поверхность подложки, расплав частично растворяет её, удаляя при этом загрязнения и дефекты. Процесс проходит при достаточно высокой температуре порядка 1200 °C, затем начинается медленное охлаждение, при котором расплав из насыщенного состояния переходит в пересыщенное, в результате чего избыточное количество материала полупроводника осаждается на подложку.
Существуют три типа контейнеров для проведения эпитаксии из жидкой фазы: вращающийся (качающийся), пенального типа, шиберного типа.
У метода существует ряд недостатков: сложность контроля параметров получаемых плёнок; относительно низкое качество; низкая производительность метода. Однако данный метод является единственно возможным при получении некоторых экзотических полупроводниковых соединений. Кроме того, он используется для лабораторных исследований.
Метод жидкофазной эпитаксии вытесняет конкурирующие технологии в изготовлении высокотемпературных фотоэлементов, к примеру он оказался единственно возможным для фотоэлементов АМС MESSENGER.
См. также Молекулярно-пучковая эпитаксия Твердофазная эпитаксия Газофазная эпитаксия Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы
Примечания
Литература Физико-химические основы технологии электронных средств: учебное пособие / В. И. Смирнов. — Ульяновск: УлГТУ, 2005.- 112 с. (ISBN 5-89146-600-0)
Категория:Эпитаксия Категория:Технологии электроники