— японский , лауреат Нобелевской премии 1973 года. Внёс значительный фундаментальный вклад в физику полупроводниковых материалов. Известен также как изобретатель диода Эсаки, использующего эффект туннелирования электрона. Доктор философии (1959), с 1960 года сотрудник IBM, член НАН США и Японской АН, иностранный член Американского философского общества (1991).

Биография

Лео Эсаки родился в семье архитектора Соихиро Эсаки. Рос неподалёку от Киото, там же окончил Третью высшую школу (фактически, часть Киотского университета). Изучение физики начал в Токийском университете, где в 1947 году получил степень бакалавра. Курс ядерной физики у Эсаки читал Хидэки Юкава, который впоследствии стал первым японским нобелевским лауреатом (1949).

По окончании университета Эсаки занялся электроникой и с 1947 по 1956 годы работал в компании Kawanishi Corporation (ныне ). В 1956 году перешёл в корпорацию Tokyo Tsushin Kogyo (ныне Sony), где стал главой небольшой исследовательской группы. Изобретение транзистора американскими физиками Джоном Бардином, Уолтером Браттейном и Уильямом Шокли побудило Эсаки переключить интерес с вакуумных ламп на исследования сильнолегированных полупроводников — германия и кремния. В своей диссертационной работе Эсаки экспериментально подтвердил эффект туннелирования электронов, который был предсказан ещё в 1930-е годы, но до тех пор никогда не наблюдался.

Этот квантовый эффект был математически выявлен немецким физиком Фридрихом Хундом, затем описан Георгием Гамовым, , Эдвардом Кондоном и Максом Борном. Согласно квантовой теории, из-за принципа неопределённости электрон может туннелировать сквозь достаточно узкий потенциальный барьер, что невозможно с точки зрения классической механики.

В поиске проявления туннельного эффекта Эсаки исследовал диоды, в которых существует обедненный слой между полупроводниками n-типа и p-типа, представляющий собой потенциальный барьер для электронов. При увеличении концентрации легирующих примесей, ширина обедненного носителями слоя уменьшалась. И Эсаки с коллегами удалось добиться таких высоких концентраций, что ширина барьера оказывалась достаточной для туннелирования.

Он обнаружил, что при уменьшении ширины переходного слоя в германии на вольт-амперной характеристике появляется падающий участок, то есть при увеличении напряжения ток уменьшался. Обнаруженное отрицательное сопротивление было первой демонстрацией эффектов твердотельного туннелирования. На основе этого эффекта были сконструированы новые электронные устройства, названные впоследствии диодами Эсаки (или туннельными диодами). Его ключевая статья о новом явлении в p-n-переходе вышла в 1958 году в Physical Review.

Благодаря этому революционному открытию, которое привело к созданию генераторов и детекторов высокочастотных сигналов, Лео Эсаки получил докторскую степень в 1959 году, а через 15 лет, в 1973 году, был удостоен Нобелевской премии по физике.

В 1960 году переехал в США и устроился в исследовательский центр компании IBM (её сотрудник до 1992 года), с 1967 года — . Член Американской академии искусств и наук.

Длительное время Эсаки являлся, совместно с российским нобелевским лауреатом Ж. И. Алфёровым, сопредседателем международного симпозиума «Наноструктуры: физика и технология», раз в год проводящегося в РФ или БеларусиСм., например, о симпозиуме 2001 г. под Санкт-Петербургом, о симпозиуме 2008 г. во Владивостоке или о симпозиуме 2012 г. в Нижнем Новгороде..

Награды и признание 1959 — 1959 — Премия Асахи 1960 — Toray Science and Technology Prize 1961 — Премия Морриса Либманна 1961 — Медаль Стюарта Баллантайна 1965 — Премия Японской академии наук 1973 — Нобелевская премия по физике за экспериментальные открытия туннельных явлений в полупроводниках и сверхпроводниках 1985 — Международная премия за новые материалы Американского физического общества 1989 — Премия Гарольда Пендера 1991 — Медаль почёта IEEE 1998 — Премия Японии В его честь названа .

Примечания

Ссылки

Информация с сайта Нобелевского комитета Л. Эсаки. «Путешествие в страну туннелирования». Нобелевская лекция // Успехи физических наук, том 116, выпуск 4, август 1975 Информация фирмы IBM Информация с сайта организации IEEE История открытия на сайте фирмы Sony Нобелевские лауреаты: Лео Эсаки

Категория:Физики полупроводников Категория:Физики по алфавиту Категория:Физики Японии Категория:Физики XX века Категория:Выпускники Токийского университета Категория:Лауреаты Нобелевской премии по физике Категория:Лауреаты Нобелевской премии из Японии Категория:Лауреаты премии Японии Категория:Награждённые медалью почёта IEEE Категория:Иностранные члены Национальной инженерной академии США Категория:Иностранные члены Национальной академии наук США Категория:Иностранные члены Американского философского общества Категория:Иностранные члены РАН Категория:Почётные доктора Национального университета Ла-Платы Категория:Почётные доктора Северо-Западного университета Категория:Почётные доктора Софийского университета Категория:Члены Японской академии наук Категория:Выпускники Киотского университета Категория:Лауреаты премии Гарольда Пендера Категория:Лауреаты премии Морриса Либманна Категория:Изобретатели Японии Категория:Лица с особыми заслугами в области культуры (Япония) Категория:Лауреаты премии Асахи Категория:Сотрудники IBM Категория:Доктора философии